[實用新型]半導(dǎo)體封裝改善裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220425963.2 | 申請日： | 2012-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN202871757U | 公開（公告）日： | 2013-04-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊曉剛;劉建秋 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫世成晶電柔性線路板有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/56;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 改善 裝置 | ||
1.半導(dǎo)體封裝改善裝置，用于將集成電路(101)封裝至液晶(102)，其特征在于，包括提供壓迫力并壓迫所述集成電路的壓板(103)、與所述壓板(103)配合的底座(104)及設(shè)置于所述底座(104)并位于所述壓板(103)及所述底座(104)之間的厚度補償元件(105)，所述厚度補償元件(105)上設(shè)置所述液晶(102)，用于對所述液晶(102)的厚度進(jìn)行補償。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝改善裝置，其特征在于，所述底座(104)包括本體(201)、兩個固定片(202)、兩個強磁片(203)及多個固定件(204)，所述固定件(204)將所述固定片(202)固定于所述本體(201)的兩相對側(cè)，所述厚度補償元件(105)放置于所述本體(201)的頂面，且兩端延伸至兩個固定片(202)，兩個強磁片(203)吸附于所述固定片(202)，以將所述厚度補償元件(105)的兩端固定。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝改善裝置，其特征在于，所述強磁片(203)的兩相對端向上彎曲。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝改善裝置，其特征在于，所述厚度補償元件(105)由硅膠布與鐵氟龍構(gòu)成，所述鐵氟龍設(shè)置于所述硅膠布上。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝改善裝置，其特征在于，所述硅膠布厚度為200um。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝改善裝置，其特征在于，所述鐵氟龍厚度為12um。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝改善裝置，其特征在于，還包括緩沖材料(106)，所述壓板(103)通過所述緩沖材料(106)壓著所述集成電路(101)。?
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
