[實用新型]一種基于沖壓框架的多芯片堆疊式扁平封裝件

有效

• 申請號: 201220425531.1
• 申請日: 2012-08-21
• 公開（公告）號: CN202772132U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 郭小偉;諶世廣;崔夢;謝建友;劉衛東
• 申請（專利權）人: 華天科技(西安)有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L25/065
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種基于沖壓框架的多芯片堆疊式扁平封裝件，屬于集成電路封裝技術領域。

背景技術

QFN(四面扁平無引腳封裝)及DFN(雙扁平無引腳封裝)封裝是在近幾年隨著通訊及便攜式小型數碼電子產品的產生(數碼相機、手機、PC、MP3)而發展起來的、適用于高頻、寬帶、低噪聲、高導熱、小體積，高速度等電性要求的中小規模集成電路的封裝。我們知道QFN/DFN封裝有效地利用了引線腳的封裝空間，從而大幅度地提高了封裝效率。但目前大部分半導體封裝廠商QFN/DFN的制造過程中對于框架的選用都面臨一些難題，現有框架為沖壓框架和蝕刻框架兩種，沖壓框架，其模具采用機械法工形成，生產效率高，單顆產品成本較低，但對于一些特殊圖形的引線框架，無法選用沖壓法加工，例如QFN/DFN/QFP等載體外露的框架，載體與內引腳之間有一定的高度差，形成一定的臺階，沖壓法難以實現及控制好該臺階；化學蝕刻框架，其模具費用低，開發周期短，可達到2周～1個月，封裝時塑封、切割模具可共用，投入成本低，但其生產效率低，且單顆產品成本較高。

現有QFN/DFN工藝的塑封工序中，由于框架結構的局限性，導致QFN/DFN封裝存在以下不足：

1.集成電路芯片和載體的結合力不好，當受外界環境變化的影響時，會造成產品內部產生分層缺陷，致使性能褪化，甚至失效。

2.載體背面和塑封料的結合力不好，當受外界環境的影響，會造成產品產生缺陷(分層)；或外露載體(基島)上有較厚的溢料。

實用新型內容

針對上訴常規沖壓框架、蝕刻框架的缺陷，本實用新型提供一種基于沖壓框架的多芯片堆疊式扁平封裝件，塑封料與框架的結合更牢固，抗分層效果更好。

本實用新型采用的技術方案：多芯片堆疊式封裝件包括引線框架1、芯片A3與引線框架1之間的粘片膠A2、芯片A3、芯片A3與引線框架1之間的鍵合線A4、開孔5、塑封體6、芯片A3與芯片B8之間的粘片膠B7、芯片B8、芯片A3與芯片B8之間的鍵合線B9、芯片B8與引線框架1間的鍵合線C10；塑封體6包圍了引線框架1、芯片A3與引線框架1之間的粘

片膠B7、芯片B8、芯片A3與芯片B8之間的鍵合線B9、芯片B8與引線框架1間的鍵合線C10；塑封體6包圍了引線框架1、芯片A3與引線框架1之間的粘片膠A2、芯片A3、芯片A3與引線框架1之間的鍵合線A4、開孔5、塑封體6、芯片A3與芯片B8之間的粘片膠B7、芯片B8、芯片A3與芯片B8之間的鍵合線B9、芯片B8與引線框架1間的鍵合線C10；構成了電路整體，并且塑封體6對芯片A3、芯片B8、鍵合線A4、鍵合線B9、鍵合線C10起到了支撐和保護作用，芯片A3、芯片B8、鍵合線A4、鍵合線B9、鍵合線C10和引線框架1構成了電路的電源和信號通道。

所述的鍵合線A4、鍵合線B9、鍵合線C10為金線或者銅線；粘片膠A2和粘片膠B7可以用膠膜片(DAF)代換。

本實用新型有益效果：采用一種新型的框架，該框架采用沖壓法加工而成，并采用沖壓或鉆孔的方法在框架上形成通孔，用以替代蝕刻法在框架上蝕刻出臺階從而起到抗分層的作用，集成電路封裝過程中塑封料填入孔中，從而在框架與塑封料之間形成有效的防拖拉結構，使塑封料與框架間的結合力更好，極大的降低了分層的可能行，顯著提高產品可靠性。同時解決了以往研磨框架及半腐蝕框架費用高的缺陷，極大的降低了成本。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖中：1-引線框架、2-粘片膠A、3-芯片A、4-鍵合線A、5-開孔、6-塑封體、7-粘片膠B、8-芯片B、9-鍵合線B、10-鍵合線C。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型做進一步說明，以方便技術人員理解。