[實(shí)用新型]利用反射泰鉑效應(yīng)成像的微結(jié)構(gòu)放大裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220424419.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203037932U | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃偉其 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 貴州大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02B27/09 | 分類號(hào): | G02B27/09;G01N21/47 |
| 代理公司: | 貴陽中新專利商標(biāo)事務(wù)所 52100 | 代理人: | 李亮;程新敏 |
| 地址: | 550025 貴州省貴*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 利用 反射 效應(yīng) 成像 微結(jié)構(gòu) 放大 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種利用激光加工半導(dǎo)體材料的裝置,尤其是一種利用反射泰鉑效應(yīng)成像的微結(jié)構(gòu)放大裝置。?
背景技術(shù)
當(dāng)今的光子化技術(shù)已滲透各個(gè)科技與產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,泰鉑(Talbot)效應(yīng)為透射周期性結(jié)構(gòu)樣品的自成像效應(yīng),故只能用于薄的周期性結(jié)構(gòu)透射樣品。傳統(tǒng)的透射Talbot效應(yīng)在成像與信息業(yè)已有好的應(yīng)用,但該應(yīng)用僅局限在周期性結(jié)構(gòu)的薄透射樣品中。在硅芯片生產(chǎn)過程中,通過光子加工在硅芯片上形成微結(jié)構(gòu),而為了確保生產(chǎn)質(zhì)量,需要對(duì)該微結(jié)構(gòu)進(jìn)行放大與顯微監(jiān)控,而現(xiàn)有技術(shù)要實(shí)現(xiàn)硅芯片上的微結(jié)構(gòu)的放大與顯微監(jiān)控,需要較為麻煩的操作,而且無法實(shí)現(xiàn)在線的放大與顯微監(jiān)控,影響了生產(chǎn)效率。?
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是:提供一種利用反射泰鉑效應(yīng)成像的微結(jié)構(gòu)放大裝置,它可實(shí)現(xiàn)不透明的周期結(jié)構(gòu)樣品的反射自成像,將其引用在硅基上的光子晶體與波導(dǎo)的光子制備中,能對(duì)真空腔中的樣品實(shí)現(xiàn)在線的反射泰鉑成像放大與顯微分析,極大的簡(jiǎn)化了硅基上微結(jié)構(gòu)的放大與顯微工序,提高了生產(chǎn)效率,以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。?
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:利用反射泰鉑效應(yīng)成像的微結(jié)構(gòu)放大裝置,包括光源,在光源的射出光路上設(shè)有匯聚透鏡,在匯聚透鏡的射出光路上設(shè)有可相互切換的定標(biāo)光路及放大光路,在光路修整結(jié)構(gòu)的射出光路上設(shè)有樣品放置臺(tái),在樣品放置臺(tái)的反射光路上最終設(shè)有反射泰鉑像屏。?
樣品放置臺(tái)處于真空腔內(nèi)。?
定標(biāo)光路沿激光的照射路徑,依次為目鏡、物鏡及透鏡。?
放大光路沿激光的照射路徑,依次為擴(kuò)束透鏡及透鏡。?
通常的泰鉑效應(yīng)是一維和二維光柵透射樣品的衍射自成像,本實(shí)用新型發(fā)現(xiàn)了反射泰鉑效應(yīng),并利用該效應(yīng)對(duì)周期性結(jié)構(gòu)的非透射樣品進(jìn)行反射泰鉑效應(yīng)成像,本實(shí)用新型中的反射泰鉑效應(yīng)是在硅基上構(gòu)建的一維和二維光子晶體上的反射泰鉑自成像,其像結(jié)構(gòu)不僅有一維和二維的周期性結(jié)構(gòu),還有較高分辨率的精細(xì)結(jié)構(gòu)。?
利用高斯平面波照射反射樣品產(chǎn)生反射泰鉑像的理論推導(dǎo)與實(shí)驗(yàn)給出:高斯平面波照明的反射泰鉑像是等間距相鄰像,其成像距離r2為:?
r2?=?rm=?mβ??????????????????????????????????????[1]??
β?=?(2?d2)/λ???????????????????????????????????????[2]?
式中的d為光柵常數(shù),λ是照射光源波長(zhǎng),m是正整數(shù)。?
利用高斯球面波照射反射樣品產(chǎn)生反射泰鉑像的理論推導(dǎo)與實(shí)驗(yàn)給出:球面波照明的反射Talbot像是非等間距相鄰像,其成像距離r2為:?
rm?=?mβ/?[1-?(mβ)/?R1]????????????????????????????[3]?
β?=?(2?d2)/λ?????????????????????????????????????[4]?
式中的R1為照明球面波在樣品處的曲率半徑。球面波照明的反射Talbot像的放大率為:?
Mm?=?1+rm/?R1????????????????????????????????????????????????????[5]?
根據(jù)以上公式可以得知,通過調(diào)控放大光路修整球面波的波陣面,即可得所需的反射泰鉑像的放大率。?
由于采用上述的技術(shù)方案,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型采用激光作為光源,通過光路修整激光的波形后,對(duì)不透明的周期結(jié)構(gòu)樣品進(jìn)行照射,使照射后產(chǎn)生反射自成像。并利用該成像原理可實(shí)現(xiàn)對(duì)微結(jié)構(gòu)的放大與顯微分析;同時(shí)設(shè)計(jì)了一套對(duì)應(yīng)于反射泰鉑成像的光路結(jié)構(gòu)和用于成像照明的波前整形技術(shù)。通常的泰鉑效應(yīng)是一維和二維光柵透射樣品的衍射自成像,而本實(shí)用新型是在硅基上構(gòu)建的一維和二維光子晶體上的反射泰鉑自成像,其像結(jié)構(gòu)不僅有一維和二維的周期性結(jié)構(gòu),還有較高分辨率的精細(xì)結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型可應(yīng)用于各種激?光微加工結(jié)構(gòu)的觀察與控制系統(tǒng)中,特別是在硅基上的光子晶體與波導(dǎo)的光子制備中,它能對(duì)真空腔中的樣品實(shí)現(xiàn)在線的反射泰鉑成像放大與顯微分析,極大的簡(jiǎn)化了硅基上微結(jié)構(gòu)的放大與顯微工序,提高了生產(chǎn)效率。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于產(chǎn)業(yè)化,應(yīng)用效果好。?
附圖說明
圖1為實(shí)施例1的反射泰鉑成像定標(biāo)光路結(jié)構(gòu)圖;?
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