[實用新型]一種基于諧振保護的異或門電路結構有效
| 申請號: | 201220424254.2 | 申請日: | 2012-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN202798667U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 王艷 | 申請(專利權)人: | 成都方拓科技有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/21 | 分類號: | H03K19/21 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 諧振 保護 門電路 結構 | ||
1.一種基于諧振保護的異或門電路結構,其特征在于,主要由兩個相互連接的異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2,與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸入端均相連接的電阻R,以及與異或門集成芯片U1和異或門集成芯片U2的輸出端相連接的諧振保護電路組成。
2.根據權利要求1所述的一種基于諧振保護的異或門電路結構,其特征在于:所述的諧振保護電路由場效應晶體管Q,一端與場效應晶體管Q的柵極相連接、另一端依次經電容C2、電容C4后與場效應晶體管Q的漏極相連接的電容C1,串接在電容C1與電容C2的連接點與場效應晶體管Q的漏極之間的電容C3,以及與電容C4相并聯的電感L組成;所述異或門集成芯片U1的輸出端與電容C1和電容C2的連接點相連接,異或門集成芯片U2的輸出端則與電容C2與電容C4的連接點相連接。
3.根據權利要求1或2所述的一種基于諧振保護的異或門電路結構,其特征在于:所述電阻R的阻值為4.7?KΩ。
4.根據權利要求3所述的一種基于諧振保護的異或門電路結構,其特征在于:所述的電容C1、電容C2、電容C3及電容C4均為高壓貼片電容。
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