[實(shí)用新型]用于橫波探傷的斜探頭有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220421740.9 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202757913U | 公開(公告)日: | 2013-02-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王維東;張?jiān)食?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)神華能源股份有限公司;北京國(guó)華電力有限責(zé)任公司;國(guó)華徐州發(fā)電有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N29/24 | 分類號(hào): | G01N29/24;G01N29/04 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 翟洪玲;董彬 |
| 地址: | 100011 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 探傷 探頭 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及無損檢測(cè)領(lǐng)域,具體地,涉及一種用于橫波探傷的斜探頭。
背景技術(shù)
高溫緊固螺栓是火力發(fā)電廠熱動(dòng)力設(shè)備的重要部件。在長(zhǎng)期運(yùn)行中,由于高溫及高應(yīng)力的作用,螺栓材料容易產(chǎn)生熱脆、蠕變、疲勞、應(yīng)力腐蝕;由于安裝中預(yù)緊力過高及不慎燒傷中心孔等原因,螺栓材料容易產(chǎn)生裂紋。為了確保設(shè)備安全運(yùn)行,加強(qiáng)對(duì)高溫緊固螺栓的有效檢驗(yàn)甚為重要。
目前常使用小角度縱波檢測(cè)的方法、橫波檢測(cè)方法和橫波檢測(cè)方法來檢驗(yàn)高溫緊固螺栓內(nèi)部是否出現(xiàn)裂紋。
當(dāng)螺栓端面較小無法放置縱波探頭時(shí),會(huì)利用用于橫波探傷的斜探頭對(duì)螺栓進(jìn)行橫波探傷。但是,目前的用于橫波探傷的斜探頭都不能準(zhǔn)確地進(jìn)行橫波檢測(cè)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種用于橫波探傷的斜探頭,利用所述斜探頭進(jìn)行橫波探傷時(shí)可以準(zhǔn)確地確定螺栓的螺紋根部的裂紋。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供一種用于橫波探傷的斜探頭,該斜探頭包括具有開口的殼體、晶片和保護(hù)層,所述晶片設(shè)置在所述殼體內(nèi)部,所述保護(hù)層設(shè)置在所述殼體的所述開口處與所述殼體固定連接,并將所述殼體封閉,所述保護(hù)層的一個(gè)端面與所述晶片貼合,另一個(gè)端面用于與待測(cè)物體相貼合,其中,所述保護(hù)層的所述另一個(gè)端面的形狀與所述待測(cè)物體的表面形狀相匹配。
優(yōu)選地,所述晶片為一個(gè)。
優(yōu)選地,所述保護(hù)層的所述另一個(gè)端面為圓柱面的一部分且向內(nèi)凹陷。
優(yōu)選地,該斜探頭的折射角的正切值為1.7,頻率為2MHz至2.5MHz。
利用本實(shí)用新型提供的斜探頭進(jìn)行橫波探傷時(shí),斜探頭的保護(hù)層表面能夠與待測(cè)物體貼合,使得絕大部分晶片產(chǎn)生的超聲波都能夠通過保護(hù)層穿入到待測(cè)物體內(nèi)部,從而提高了所述斜探頭在橫波探傷時(shí)發(fā)現(xiàn)缺陷的能力。并且,利用所述用于橫波探傷的斜探頭對(duì)螺栓進(jìn)行橫波探傷時(shí),能夠準(zhǔn)確地發(fā)現(xiàn)螺紋根部的裂紋。
本實(shí)用新型的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。
附圖說明
附圖是用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型,但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中:
圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的斜探頭的側(cè)剖視示意圖;
圖2是圖1中所示的斜探頭的主視圖;
圖3是圖1中所示的斜探頭的俯視圖;
圖4是利用圖1中所示的斜探頭對(duì)螺栓探傷的示意圖,其中,所述螺栓的根部并無裂紋;
圖5是圖4中所示的螺栓的螺紋反射波的波形示意圖;
圖6是利用圖1中所示的斜探頭對(duì)螺栓探傷的示意圖,其中,所述螺栓的根部有裂紋;
圖7是圖6中所示的螺栓的缺陷反射波和螺紋反射波的波形示意圖。
附圖標(biāo)記說明
1?????螺紋反射波?????2??????缺陷反射波
10????晶片???????????20?????保護(hù)層
40????螺栓???????????50?????探頭接口
60????殼體???????????100????斜探頭
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是,此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本實(shí)用新型,并不用于限制本實(shí)用新型。
如圖1至圖3所示,實(shí)用新型提供一種用于橫波探傷的斜探頭100,該斜探頭100包括具有開口的殼體60、晶片10和保護(hù)層20,晶片10設(shè)置在殼體60內(nèi)部,保護(hù)層20設(shè)置在殼體60的所述開口處與殼體60固定連接,并將殼體60封閉,保護(hù)層20的一個(gè)端面與晶片10貼合,另一個(gè)端面用于與待測(cè)物體相貼合,其中,保護(hù)層20的另一個(gè)端面的形狀與所述待測(cè)物體的表面形狀相匹配。
如圖2和圖3中所示,殼體60上設(shè)置有探頭接口50,殼體60內(nèi)的晶片10通過探頭接口50與外部電源電連接。當(dāng)利用所述斜探頭100進(jìn)行橫波探傷時(shí),所述斜探頭100的保護(hù)層20的所述另一個(gè)端面與待測(cè)物體相貼合,晶片10振動(dòng)產(chǎn)生超聲波通過保護(hù)層20傳遞至待測(cè)物體內(nèi)部。保護(hù)層20為固體,且聲波在固體中傳播速度最快,由于保護(hù)層20貼合在待測(cè)物體的表面上,因此絕大多數(shù)由晶片10產(chǎn)生的超聲波都能通過保護(hù)層20傳遞至待測(cè)物體的內(nèi)部,從而使所述斜探頭100具有較高的發(fā)現(xiàn)待測(cè)物體內(nèi)部的缺陷的能力。
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