[實(shí)用新型]無(wú)引腳的功率MOSFET器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220421179.4 | 申請(qǐng)日： | 2012-08-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202796917U | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡乃仁;楊小平;李國(guó)發(fā);鐘利強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州固锝電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/488 | 分類號(hào)： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人： | 馬明渡 |
| 地址： | 215153 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 引腳 功率 mosfet 器件 | ||
1.?一種無(wú)引腳的功率MOSFET器件，包括MOSFET芯片（1）、環(huán)氧樹脂層（2），所述MOSFET芯片上表面（1）設(shè)有源極和柵極，下表面設(shè)有漏極，其特征在于：還包括導(dǎo)電基盤（3）、第一導(dǎo)電焊盤（4）和第二導(dǎo)電焊盤（5），所述導(dǎo)電基盤（3）由散熱區(qū)（31）和基盤引腳區(qū)（32）組成，此基盤引腳區(qū)（32）由若干個(gè)相間排列的漏極引腳（321）組成，此漏極引腳（321）一端與散熱區(qū)（31）端面電連接，所述散熱區(qū)（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且與MOSFET芯片（1）下表面之間通過軟焊料導(dǎo)電層（6）電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤（4）和第二導(dǎo)電焊盤（5）位于MOSFET芯片（1）另一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤（4）和第二導(dǎo)電焊盤（5）均包括焊接區(qū)（7）和引腳區(qū)（8）；一鋁導(dǎo)體帶（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源極與第一導(dǎo)電焊盤（4）的焊接區(qū)（7）之間；一金屬線（9）跨接于所述MOSFET芯片（1）的柵極與第二導(dǎo)電焊盤（5）的焊接區(qū)（7）之間。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)引腳的功率MOSFET器件，其特征在于：所述鋁導(dǎo)體帶（10）寬厚比為1：10?15。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)引腳的功率MOSFET器件，其特征在于：所述第一導(dǎo)電焊盤（4）的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)引腳的功率MOSFET器件，其特征在于：所述第二導(dǎo)電焊盤（5）的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)引腳的功率MOSFET器件，其特征在于：所述漏極引腳（321）的數(shù)目為四根。
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