[實用新型]一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構

有效

• 申請號: 201220420567.0
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN202839599U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 張黎;陳棟;賴志明;陳錦輝;徐虹
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/98
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓然

1.一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構，所述封裝結構包括帶有芯片電極Ⅰ（11）的IC芯片Ⅰ（1）、帶有芯片電極Ⅱ（21）的IC芯片Ⅱ（2）、金屬微結構（3）、高密度布線層、樹脂層（6）和焊球凸點（9）,所述金屬微結構（3）包括金屬微柱（31）和設置在金屬微柱（31）頂端的金屬微凸點（32），

其特征在于：所述IC芯片Ⅰ（1）與IC芯片Ⅱ（2）面對面分布在高密度布線層的下表面和上表面，所述高密度布線層包括再布線金屬層Ⅰ（4）、填充再布線金屬層Ⅰ（4）的介電層（41）和設置在高密度布線層的上表面的再布線金屬電極（42），所述再布線金屬電極（42）包括再布線金屬電極Ⅰ（421）和再布線金屬電極Ⅱ（422），所述再布線金屬層Ⅰ（4）的下端與IC芯片Ⅰ（1）的芯片電極Ⅰ（11）連接，所述IC芯片Ⅱ（2）的芯片電極Ⅱ（21）通過金屬微結構（3）與再布線金屬電極Ⅰ（421）連接，所述金屬微結構（3）與金屬微結構（3）之間以及金屬微結構（3）的外圍設有填充物（5），所述再布線金屬電極Ⅱ（422）的上表面設置金屬柱（7），所述樹脂層（6）包覆IC芯片Ⅱ（2）、金屬柱（7）和再布線金屬電極Ⅱ（422），所述樹脂層（6）的上表面設置再布線金屬層Ⅱ（8），所述再布線金屬層Ⅱ（8）的上表面設置焊球凸點端之金屬電極（91），所述再布線金屬層Ⅱ（8）和焊球凸點端之金屬電極（91）的外圍包覆表面保護層（81），所述焊球凸點端之金屬電極（91）的上表面設置焊球凸點（9）。

2.根據權利要求1所述的一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構，其特征在于：所述IC芯片Ⅱ（2）的個數為一個或一個以上。

3.根據權利要求1所述的一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構，其特征在于：所述表面保護層（81）的材質為樹脂。

4.根據權利要求1所述的一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構，其特征在于：所述樹脂層（6）的高度超過IC芯片Ⅱ（2）的高度。

5.根據權利要求1所述的一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構，其特征在于：所述金屬柱（7）的高度超過IC芯片Ⅱ（2）的高度。

6.根據權利要求1或5所述的一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構，其特征在于：所述金屬柱（7）設置在IC芯片Ⅱ（2）的外圍，且成陣列排布。

7.根據權利要求1所述的一種芯片嵌入式三維圓片級封裝結構，其特征在于：所述再布線金屬層Ⅱ（8）為單層或多層金屬層。