[實用新型]一種溝槽MOSFET

有效

• 申請號: 201220420536.5
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN202948934U
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 李俊俏;唐翠;朱超群;陳宇
• 申請（專利權）人: 寧波比亞迪半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種溝槽MOSFET，其特征在于，包括：

襯底及其上形成的外延層，所述外延層的導電類型與所述襯底的導電類型相同；

形成在所述外延層內的溝槽及被所述溝槽分割的輕摻雜區，所述輕摻雜區的導電類型與所述襯底的導電類型相反，所述溝槽包括第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽和第四溝槽；

在所述溝槽的內表面形成有第一介質層，在所述溝槽內的第一介質層上形成有導電的填充層，所述填充層將所述溝槽充滿；

在所述第三溝槽和第四溝槽之間的輕摻雜區內形成有重摻雜區，所述重摻雜區由不相連接的兩部分構成，所述重摻雜區的導電類型與所述襯底的導電類型相同；以及

外圍金屬層，柵極金屬層，源極金屬層和漏極金屬層，所述外圍金屬層形成在所述第一溝槽之上，所述柵極金屬層形成在所述第二溝槽之上，所述源極金屬層形成在所述第三溝槽和第四溝槽之間的外延層之上，所述漏極金屬層形成在所述襯底之下。

2.如權利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，在所述外圍金屬層，柵極金屬層，源極金屬層之上形成有鈍化層。

3.如權利要求1所述的溝槽MOSFET，其特征在于，在所述外延層上表面除外圍金屬層與第一溝槽的接觸區域、柵極金屬層與第二溝槽的接觸區域以及源極金屬層與外延層的接觸區域以外的區域覆蓋有第二介質層。