[實用新型]一種氮化鎵發光二極管結構

有效

• 申請號: 201220418921.6
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN202797053U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 吳東海;李志翔;劉剛
• 申請（專利權）人: 南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氮化鎵發光二極管結構，它包括襯底（100）和依次置于襯底之上的緩沖層（101）、非故意摻雜氮化鎵層（102）、N型摻雜氮化鎵層（104）、有源發光層（105）和P型摻雜氮化鎵層（106），N型電極（107）置于N型摻雜氮化鎵層（104）上表面，P型電極（108）置于P型摻雜氮化鎵層（106）上表面，其特征在于，所述非故意摻雜氮化鎵層（102）的上表面形成一圖形化結構的結構層（103）。

2.根據權利要求1所述的發光二極管結構，其特征在于，所述緩沖層（101）的材料采用氮化鎵、氮化鋁、氮化銦鎵或者氮化鋁銦鎵中的一種，緩沖層（101）的厚度為10-100納米。

3.根據權利要求1或2所述的氮化鎵發光二極管結構，其特征在于，所述非故意摻雜氮化鎵層（102）的厚度為1-10微米，N型摻雜氮化鎵層（104）的厚度為1-5微米，P型摻雜氮化鎵層（106）的厚度為0.1-1微米。

4.根據權利要求3所述的發光二極管結構，其特征在于，結構層（103）的圖形可以為條狀、矩形、圓形或者三角形中的任一圖案。

5.一種氮化鎵發光二極管結構，它包括襯底（100）和依次置于襯底之上的緩沖層（101）、第一非故意摻雜氮化鎵層（109）、N型摻雜氮化鎵層（104）、有源發光層（105）和P型摻雜氮化鎵層（106），N型電極（107）置于N型摻雜氮化鎵層（104）上表面，P型電極（108）置于P型摻雜氮化鎵層（106）上表面，其特征在于，所述第一非故意摻雜氮化鎵層（109）的上方還依次置有圖形化結構的絕緣層（110）和第二非故意摻雜氮化鎵層（111）。

6.根據權利要求5所述的氮化鎵發光二極管結構，其特征在于，所述緩沖層（101）的材料采用氮化鎵、氮化鋁、氮化銦鎵或者氮化鋁銦鎵中的一種，緩沖層（101）的厚度為10-100納米。

7.根據權利要求5或6所述的氮化鎵發光二極管結構，其特征在于，所述第一非故意摻雜氮化鎵層（109）的厚度為1-5微米，第二非故意摻雜氮化鎵層（111）的厚度為1-5微米，N型摻雜氮化鎵層（104）的厚度為1-5微米，P型摻雜氮化鎵層（106）的厚度為0.1-1微米。

8.根據權利要求7所述的氮化鎵發光二極管結構，其特征在于，所述絕緣層（110）的材料采用二氧化硅、氮化硅或者二氧化鈦中的一種，絕緣層（110）的厚度為10-1000納米，絕緣層（110）的圖形可以為條狀、矩形、圓形或者三角形中的任一圖案。