[實用新型]單相后緣斬波調壓器有效
| 申請號: | 201220418326.2 | 申請日: | 2012-08-22 |
| 公開(公告)號: | CN202840970U | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 盛永富;王建法;葛國強 | 申請(專利權)人: | 杭州龍科電子有限公司 |
| 主分類號: | H02M5/293 | 分類號: | H02M5/293 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 310021 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單相 后緣 調壓器 | ||
1.一種單相后緣斬波調壓器,包括同步檢測電路(1),脈沖波發生電路(2),隔離驅動電路(3),工頻斬波電路(4),穩壓反饋電路(5)相互連接;其特征是:所述的調壓器驅動的負載上波形為后邊緣可調正弦波,通過對正弦波后邊緣關斷的控制,整個正弦波周期內平均電壓隨信號而調節。
2.根據權利要求1所述的單相后緣斬波調壓器,其特征是:所述的工頻斬波電路(4),包括電力半導體器件為功率晶體管(GTR)、功率場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。
3.根據權利要求1所述的單相后緣斬波調壓器,其特征是:所述的后邊緣可調正弦波,從正弦波過零點開始連續全導通,輸出電壓隨正弦波形同步增加。
4.根據權利要求1所述的單相后緣斬波調壓器,其特征是:所述的后邊緣可調正弦波,根據信號控制功率晶體管(GTR)、功率場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)將正弦波瞬時關斷,從正弦波開始關斷至正弦波完全關斷的時間?t≤0.5ms。
5.根據權利要求1所述的單相后緣斬波調壓器,其特征是:所述的后邊緣可調正弦波,正弦波的正半周關斷時間與負半周關斷時間是相同的。
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