[實(shí)用新型]一種太陽能組件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220413724.5 | 申請日: | 2012-08-20 |
| 公開(公告)號: | CN202695458U | 公開(公告)日: | 2013-01-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金劉 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇格林保爾光伏有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金輝 |
| 地址: | 213161 江蘇省常州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能 組件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種太陽能組件。
背景技術(shù)
太陽能電池組件,也叫太陽能電池板,是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分,也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源,越來越受到人們的關(guān)注。晶體硅材料質(zhì)量對太陽電池的效率起至關(guān)重要的作用,晶體硅基體材料表面缺陷密度很高,如大量的懸掛鍵、雜質(zhì)和斷鍵等,導(dǎo)致硅片表面少子壽命大大降低,復(fù)合速率較低。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種轉(zhuǎn)換效率高的太陽能組件。
實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案是:一種太陽能組件,具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層;還具有二氧化硅層;所述二氧化硅層設(shè)置在正極層和P型硅層之間。
上述技術(shù)方案所述負(fù)極層為銀層。
上述技術(shù)方案所述正極層為鋁層。
上述技術(shù)方案所述負(fù)極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵。
上述技術(shù)方案所述正極層上具有背電極和背電場。
采用上述技術(shù)方案后,本實(shí)用新型具有以下積極的效果:
(1)本實(shí)用新型的二氧化硅層設(shè)置在正極層和P型硅層之間;二氧化硅層具有吸雜、鈍化的作用。
(2)本實(shí)用新型應(yīng)用銀鋁漿料制作電極和背電場,優(yōu)化圖形設(shè)計(jì),不僅確保了電極良好的導(dǎo)電性、可焊性以及背電場的平整性,更具有優(yōu)異的印刷性能、附著力高、彎曲度低和轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點(diǎn)。
附圖說明
為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖,對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中1.負(fù)極層,11.主柵,12.副柵,2.N型硅層,3.P型硅層,4.正極層,41.背電極,42.背電場,5.二氧化硅層。
具體實(shí)施方式
(實(shí)施例1)
見圖1,本實(shí)用新型具有依次層疊的負(fù)極層1、N型硅層2、P型硅層3、正極層4和二氧化硅層5;負(fù)極層1為銀層,負(fù)極層1的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12;正極層4為鋁層,正極層4上具有背電極41和背電場42;二氧化硅層5設(shè)置在正極層4和P型硅層3之間。
以上所述的具體實(shí)施例,對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇格林保爾光伏有限公司,未經(jīng)江蘇格林保爾光伏有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220413724.5/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





