[實(shí)用新型]一種晶體硅太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220413723.0
• 申請日: 2012-08-20
• 公開（公告）號: CN202736930U
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 湯丹;王立建
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種晶體硅太陽能電池，其特征在于，包括：

電池本體；

設(shè)置在所述電池本體受光面上的減反層；

設(shè)置所述減反層上的鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述減反層包括：

設(shè)置在所述電池本體上的第一氮化硅薄膜；

設(shè)置在所述第一氮化硅薄膜上的第二氮化硅薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一氮化硅薄膜的厚度為20nm-50nm，折射率為2-2.15。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第二氮化硅薄膜的厚度為40nm-80nm，折射率為1.82-2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述鈍化層為二氧化硅納米棒陣列。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，所述二氧化硅納米棒的直徑為5nm-15nm，高度為30nm-100nm。