[實用新型]一種帶保護層的太陽能組件有效
| 申請號： | 201220413288.1 | 申請日： | 2012-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN202695456U | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發明（設計）人： | 金劉 | 申請（專利權）人： | 江蘇格林保爾光伏有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 金輝 |
| 地址： | 213161 江蘇省常州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 保護層 太陽能 組件 | ||
【權利要求書】：
1.一種帶保護層的太陽能組件，具有依次層疊的負極層（1）、N型硅層（2）、P型硅層（3）和正極層（4）；其特征在于：還具有減反射膜層（5）；所述減反射膜層（5）設置在負極層（1）和N型硅層（2）之間。
2.根據權利要求1所述的帶保護層的太陽能組件，其特征在于：所述減反射膜層（5）為氮化硅層。
3.根據權利要求1或2所述的帶保護層的太陽能組件，其特征在于：所述負極層（1）和正電極（1）均為銀層。
4.根據權利要求3所述的帶保護層的太陽能組件，其特征在于：所述負極層（1）的表面上設有通過網版圖形印刷形成的主柵（11）以及與主柵（11）垂直且等間距分布的副柵（12）。
5.根據權利要求4所述的帶保護層的太陽能組件，其特征在于：所述正極層（4）上具有背電極（41）和背電場（42）。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇格林保爾光伏有限公司，未經江蘇格林保爾光伏有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220413288.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種帶雙層保護膜的太陽能組件
- 下一篇：一種帶保護層的晶體硅太陽能電池組件
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
