[實用新型]一種基于部分耗盡型SOI工藝的ESD保護結構

有效

• 申請號: 201220412453.1
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN202796956U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 高國平;周毅;羅靜
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 殷紅梅

1.?一種基于部分耗盡型SOI工藝的ESD保護結構，其特征是：包括一個N型襯底PMOS管結構，所述N型襯底PMOS管結構包括柵極（5）、P+源擴散區（4）、P+漏擴散區（6）、N阱（7）、二氧化硅隔離區（3）、埋氧層（2）以及硅襯底（1），所述埋氧層（2）位于硅襯底（1）之上，所述P+源擴散區（4）、P+漏擴散區（6）、N阱（7）和二氧化硅隔離區（3）位于埋氧層（2）之上；所述N阱（7）位于P+源擴散區（4）和P+漏擴散區（6）之間，在P+源擴散區（4）到N阱（7）之間形成寄生二極管（D1），二氧化硅隔離區（3）包圍所述P+源擴散區（4）和P+漏擴散區（6）；所述柵極（5）位于N阱（7）之上；所述P+源擴散區（4）的引出端為PMOS管的源端，P+漏擴散區（6）的引出端為PMOS管的漏端；柵極（5）和PMOS管的源端之間連接鉗位電路；PMOS管源端的寄生二極管（D1）對N阱（7）進行偏置；PMOS管的柵極（5）使用鉗位電路進行偏置。

2.如權利要求1所述的一種基于部分耗盡型SOI工藝的ESD保護結構，其特征是，當用在輸入壓焊點和地之間進行ESD保護時，PMOS管的源端通過半導體金屬鋁連接輸入壓焊點，漏端通過半導體金屬鋁與地（GND）連接，N阱（7）的電位通過P+源擴散區（4）與寄生二極管（D1）確定，箝位電路確保當處于正常工作模式下，PMOS管處于關斷狀態。

3.如權利要求1所述的一種基于部分耗盡型SOI工藝的ESD保護結構，其特征是，當用在輸入壓焊點和電源（VDD）之間進行ESD保護時，PMOS管的源端通過半導體金屬鋁連接電源（VDD），漏端通過半導體金屬鋁連接輸入壓焊點，N阱（7）的電位通過P+源擴散區（4）與寄生二極管（D1）確定，箝位電路確保當處于正常工作模式下，PMOS管處于關斷狀態。