[實(shí)用新型]多量子阱半導(dǎo)體激光器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220411336.3 | 申請(qǐng)日： | 2012-08-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN202712685U | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張普;劉興勝;熊玲玲;王貞福;劉暉;聶志強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/343 | 分類號(hào)： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人： | 陳廣民 |
| 地址： | 710119 陜西省西*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多量 半導(dǎo)體激光器 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括多個(gè)量子阱層以及設(shè)置于各量子阱層之間的勢(shì)壘層，其特征在于：每個(gè)量子阱層設(shè)置有一個(gè)或多個(gè)發(fā)光區(qū)，相鄰量子阱層的發(fā)光區(qū)相互錯(cuò)開(kāi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于：所述多量子阱半導(dǎo)體激光器由依次設(shè)置的N+-GaAs襯底、N+-GaAs緩沖層、N-AlGaAs上限制層、InGaP上波導(dǎo)層、多個(gè)所述GaInAsP量子阱層及相應(yīng)的InGaP勢(shì)壘層、InGaP下波導(dǎo)層、P-AlGaAs下限制層、P-GaAs頂層、P++-GaAs歐姆接觸層組成。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所，未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220411336.3/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：自行車變速結(jié)構(gòu)
- 下一篇：一種帶有指示燈的車載充電器
- 光纖輸出半導(dǎo)體激光器模塊及其制造方法
- 半導(dǎo)體激光器模塊裝置及其控制方法
- 一種圓環(huán)半導(dǎo)體激光器的均勻側(cè)面泵浦結(jié)構(gòu)
- 一種半導(dǎo)體激光器遠(yuǎn)距離光斑的勻化方法及系統(tǒng)
- 一種遠(yuǎn)距離勻化光斑的半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)
- 半導(dǎo)體激光器控制系統(tǒng)
- 一種熱沉絕緣型半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)及疊陣
- 一種發(fā)光點(diǎn)高度可調(diào)的半導(dǎo)體激光器封裝結(jié)構(gòu)
- 一種半導(dǎo)體激光器的散熱封裝結(jié)構(gòu)
- 一種半導(dǎo)體激光器巴條及其制造方法、電子設(shè)備
