[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220411190.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202855743U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧樺崗;林小青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中山市華星電源科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/861 | 分類號(hào): | H01L29/861;H01L23/40 |
| 代理公司: | 中山市科創(chuàng)專利代理有限公司 44211 | 代理人: | 謝自安 |
| 地址: | 528400*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 二極管 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于包括導(dǎo)電散熱底板(1),所述導(dǎo)電散熱底板(1)上連接有導(dǎo)電散熱連接座(3),所述導(dǎo)電散熱底板(1)與導(dǎo)電散熱連接座(3)之間設(shè)有二極管芯片(9),所述導(dǎo)電散熱底板(1)與導(dǎo)電散熱連接座(3)之間設(shè)有絕緣支撐件(8),所述絕緣支撐件(8)設(shè)在二極管芯片(9)側(cè)邊,所述導(dǎo)電散熱底板(1)與導(dǎo)電散熱連接座(3)通過(guò)螺栓絕緣連接。
2.按權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述導(dǎo)電散熱連接座(3)設(shè)有用于接通線路的導(dǎo)通連接孔(4),用于與導(dǎo)電散熱底板(1)固定連接的螺栓連接孔(31),所述螺栓連接孔(31)內(nèi)套接有螺栓絕緣護(hù)套(10),所述導(dǎo)電散熱底板(1)設(shè)有螺紋孔(12),連接螺栓(11)通過(guò)螺栓絕緣護(hù)套(10)與螺紋孔(12)配合連接。
3.按權(quán)利要求1或2所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述導(dǎo)電散熱連接座(3)底部設(shè)有與二極管芯片(9)接觸的凸起(33)。
4.按權(quán)利要求3所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述二極管芯片(9)與導(dǎo)電散熱底板(1)采用焊接連接。
5.按權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述絕緣支撐件(8)設(shè)有用于連接螺栓(11)穿過(guò)的導(dǎo)孔(81),所述絕緣支撐件(8)為陶瓷絕緣片。
6.按權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述導(dǎo)電散熱連接座(3)設(shè)有絕緣保護(hù)殼體(2),所述絕緣保護(hù)殼體(2)上設(shè)有用于填充環(huán)氧樹(shù)脂的填充孔(21)。?
7.按權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述導(dǎo)電散熱連接座(3)呈圓柱體,所述圓柱體底部設(shè)有四個(gè)腳座(32),所述腳座(32)上設(shè)有與連接螺栓(11)配合的螺栓連接孔(31)。
8.按權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述導(dǎo)電散熱連接座(3)呈長(zhǎng)方體,所述長(zhǎng)方體設(shè)有四個(gè)腳座(32),所述腳座(32)上設(shè)有與連接螺栓(11)配合的螺栓連接孔(31)。
9.按權(quán)利要求1所述一種半導(dǎo)體二極管結(jié)構(gòu),其特征在于所述導(dǎo)電散熱連接座(3)呈長(zhǎng)方體,所述長(zhǎng)方體設(shè)有兩個(gè)腳座(32),所述每個(gè)腳座(32)設(shè)有兩個(gè)與連接螺栓(11)配合的螺栓連接孔(31)。?
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H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
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