[實用新型]注入裝置、沖壓與注入聯(lián)動裝置及芯片封裝系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220410633.6 | 申請日: | 2012-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN202758854U | 公開(公告)日: | 2013-02-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周潤寶 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州士蘭集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 注入 裝置 沖壓 聯(lián)動 芯片 封裝 系統(tǒng) | ||
1.一種注入裝置,包括架體、電磁壓力控制閥、軟焊料融化腔、軟焊料流量控制閥以及溫控加熱裝置,所述軟焊料融化腔設置于所述架體的內(nèi)部,所述電磁壓力控制閥設置于架體上用于將軟焊料引入所述軟焊料融化腔內(nèi),所述軟焊料融化腔的底部設有軟焊料流量控制閥,所述溫控加熱裝置設置于所述架體上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注入裝置,其特征在于,所述溫控加熱裝置包括若干設置于所述架體的底部以及位于所述軟焊料融化腔的四周的加熱體以及熱力流量控制閥,所述加熱體分別與所述熱力流量控制閥連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注入裝置,其特征在于,所述軟焊料流量控制閥是兩位五通雙電控與流量控制閥。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的注入裝置,其特征在于,所述架體上還設有用于檢測并顯示所述軟焊料融化腔內(nèi)的軟焊料的壓力的數(shù)碼控制壓力表。
5.一種沖壓與注入聯(lián)動裝置,其特征在于,包括驅(qū)動基座、上座凸模、下座凹模以及如權(quán)利要求1~4中任意一項所述的注入裝置,所述上座凸模與所述注入裝置間隔固定設置于所述驅(qū)動基座的下方,所述下座凹模位于所述上座凸模與所述注入裝置的下方,所述下座凹模上對應所述上座凸模與所述注入裝置的位置分別開設用于放置框架載片臺的框架槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沖壓與注入聯(lián)動裝置,其特征在于,所述電磁壓力控制閥設置于所述軟焊料融化腔的頂部,所述上座凸模相應所述電磁壓力控制閥的位置設有軟焊料通道,所述軟焊料通道的一端與所述電磁壓力控制閥連接,另一端作為投料口。
7.一種芯片封裝系統(tǒng),包括如權(quán)利要求5所述的沖壓與注入聯(lián)動裝置以及裝片設備,所述裝片設備包括用于裝載和加熱所述框架載片臺的裝片設備軌道和用于將芯片放入融化的軟焊料上的裝片機焊頭。
8.一種芯片封裝系統(tǒng),包括如權(quán)利要求6所述的沖壓與注入聯(lián)動裝置以及裝片設備,所述裝片設備包括用于裝載和加熱所述框架載片臺的裝片設備軌道和用于將芯片放入融化的軟焊料上的裝片機焊頭。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





