[實(shí)用新型]一種中頻反應(yīng)磁控濺射銦錫合金靶

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220400967.5
• 申請(qǐng)日: 2012-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN202786410U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李晨光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南昌歐菲光科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種中頻反應(yīng)磁控濺射銦錫合金靶，它包括基材（1）、真空鍍膜室（2）、等離子體（4），其特征在于：在真空鍍膜室（2）中兩側(cè)設(shè)置有反應(yīng)氣體入口（3），在真空鍍膜室（2）內(nèi)設(shè)置有屏蔽罩（6），孿生靶（5）位于屏蔽罩（6）內(nèi)，在真空鍍膜室（2）上設(shè)置有工藝氣體入口（7）和光學(xué)探頭（8），所述光學(xué)探頭（8）與光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（9）連接，光電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（9）與壓電系統(tǒng)（10）連接；中頻電源（11）與孿生靶（5）連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻反應(yīng)磁控濺射銦錫合金靶，其特征在于：在反應(yīng)氣體入口（3）連接有流量計(jì)（12）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中頻反應(yīng)磁控濺射銦錫合金靶，其特征在于：孿生靶（5）的靶材為銦錫合金靶。