[實用新型]低溫度漂移的基準電壓電路結構

有效

• 申請號: 201220400545.8
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN202711107U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 陳繼輝;楊穎;張勤;程學農
• 申請（專利權）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種低溫度漂移的基準電壓電路結構，其特征在于，所述的電路結構包括產生基準電壓的基準電壓核心支路、產生負溫度補償電流的溫度補償回路和提供偏置電流的偏置回路，該電路結構還包括基準電壓輸出回路，所述的溫度補償回路和偏置回路分別連接所述的基準電壓核心支路，所述的基準電壓輸出回路連接所述的溫度補償回路。

2.根據權利要求1所述的低溫度漂移的基準電壓電路結構，其特征在于，所述的基準電壓核心支路包括第二NPN型三極管（N2）、第三NPN型三極管（N3）、第三PNP型三極管（P3）、第四PNP型三極管（P4）、第五PNP型三極管（P5）、第一電阻（R1）、第三電阻（R3）、第四電阻（R4）和第五電阻（R5）；所述的第二NPN型三極管（N2）的基極連接所述的第三NPN型三極管（N3）的基極；所述的第二NPN型三極管（N2）發射極通過所述的第一電阻（R1）連接所述的第三NPN型三極管（N3）的發射極；所述的第二NPN型三極管（P2）的集電極分別連接所述的第三PNP型三極管（P3）的集電極和所述的第五PNP型三極管（P5）的基極；所述的第三PNP型三極管（P3）的基極連接所述的第四PNP型三極管（P4）的基極；所述的第三PNP型三極管（P3）的發射極分別連接所述的第四PNP型三極管（P4）的發射極和第五PNP型三極管（P5）的發射極；所述的第四PNP型三極管（P4）的集電極連接所述的第三NPN型三極管（N3）的集電極；所述的第四PNP型三極管（P4）的集電極連接所述的第四PNP型三極管（P4）的基極；所述的第五PNP型三極管（P5）的集電極通過第五電阻（R5）接地；所述的第二NPN型三極管（N2）的發射極順序通過串接的第四電阻（R4）和第三電阻（R3）接地。

3.根據權利要求2所述的低溫度漂移的基準電壓電路結構，其特征在于，所述的第三PNP型三極管（P3）、第四PNP型三極管（P4）和第五PNP型三極管（P5）均為PMOS場效應管，所述的第五PNP型三極管（P5）的寬長比為所述的第三PNP型三極管（P3）與第四PNP型三極管（P4）的寬長比之和。

4.根據權利要求2所述的低溫度漂移的基準電壓電路結構，其特征在于，所述的溫度補償回路包括第四NPN型三極管（N4）和第二電阻（R2）；所述的第四NPN型三極管（N4）的基極連接于所述的第二NPN型三極管（N2）的發射極與所述的第一電阻（R1）之間；所述的第四NPN型三極管（N4）的發射極連接于所述的第二電阻（R2）的一端；所述的第二電阻（R2）的另一端連接于所述的相互串聯的第四電阻（R4）和第三電阻（R3）之間；所述的第四NPN型三極管（N4）的集電極分別連接所述的偏置回路和基準電壓輸出回路。

5.根據權利要求2所述的低溫度漂移的基準電壓電路結構，其特征在于，所述的溫度補償回路包括第四NPN型三極管（N4）和第二電阻（R2）；所述的第四NPN型三極管（N4）的基極連接于所述的第二NPN型三極管（N2）的發射極與所述的第一電阻（R1）之間；所述的第四NPN型三極管（N4）的發射極連接于所述的第二電阻（R2）的一端；所述的第二電阻（R2）的另一端連接于所述的相互串聯的第四電阻（R4）和第三電阻（R3）之間；所述的第四NPN型三極管（N4）的集電極連接所述的第三PNP型三極管（P3）、第四PNP型三極管（P4）和第五PNP型三極管（P5）的發射極。