[實用新型]半導體裝置

有效

• 申請號: 201220400517.6
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN202772137U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 鳥居克行
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種半導體裝置，具有半導體襯底（1），其特征在于，

所述半導體襯底（1）具有：

第1半導體區域（7），其處于所述半導體襯底（1）的第1主面（22）上，并具有第1導電類型；

第2半導體區域（32），其形成于所述第1半導體區域（7）之上，并具有與所述第1導電類型相反的第2導電類型；以及

第3半導體區域（31），其與所述第2半導體區域（32）相接，并具有所述第2導電類型，所述第3半導體區域（31）比所述第2半導體區域（32）的雜質濃度高，

其中，在所述半導體襯底（1）的活性層形成區域中具有：

第4半導體區域（4），其形成于所述第3半導體區域（31）之上，并具有所述第1導電類型；

第5半導體區域（3），其與所述第4半導體區域（4）相接，并具有所述第2導電類型；

溝槽（2），其從所述第5半導體區域（3）的上部的面開始，至少達到所述第4半導體區域（4）的下部的面；

絕緣膜（10），其形成于所述溝槽（2）的側面及底面；以及

控制電極（11），其形成于所述絕緣膜（10）的內側，

其中，在包圍所述半導體襯底（1）的活性層形成區域的外周區域中，所述第2半導體區域（32）達到所述半導體襯底（1）的第2主面（21），

從半導體襯底（1）的第2主面（21）的上方觀察，在所述活性層形成區域的角部中，所述第4半導體區域（4）和所述第2半導體區域（32）相接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，從所述半導體襯底（1）的第2主面（21）的上方觀察，在柵極焊盤形成區域（27）下部的半導體襯底（1）中，所述第4半導體區域（4）與所述第2半導體區域（32）相接。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

從所述半導體襯底（1）的第2主面（21）的上方觀察，柵極焊盤形成區域（27）形成在半導體襯底（1）的第1側面側，向所述半導體襯底（1）的第一側面側延伸的第3半導體區域（31）的部分，在與所述柵極焊盤形成區域（27）相對的端部上，呈缺角狀。