[實(shí)用新型]一種納米材料的自蔓延高溫合成裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220398585.3 | 申請(qǐng)日： | 2012-08-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN202766658U | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張國(guó)棟;劉聰;劉錦 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C30B29/16 | 分類號(hào)： | C30B29/16;C30B1/10;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 溫珊姍;許蓮英 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 材料 蔓延 高溫 合成 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種納米材料的自蔓延高溫合成裝置，包括內(nèi)設(shè)產(chǎn)物收集板⑿的爐蓋⑴和設(shè)置有底座⑶、反應(yīng)容器⑹、點(diǎn)火裝置⑼的爐體⑵，其特征在于：所述爐蓋⑴和爐體⑵之間設(shè)有散熱組件⑽。
2.如權(quán)利要求1所述的納米材料的自蔓延高溫合成裝置，其特征在于：所述散熱組件⑽由兩塊以上平行放置的石墨散熱片⑸組合而成，且相鄰石墨散熱片⑸的間距為1-2cm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的納米材料的自蔓延高溫合成裝置，其特征在于：所述石墨散熱片⑸的厚度為1-2cm。
4.如權(quán)利要求1或2所述的納米材料的自蔓延高溫合成裝置，其特征在于：所述反應(yīng)容器⑹和底座⑶之間還設(shè)有集渣槽⑺，反應(yīng)容器⑹底部開孔與集渣槽⑺相連通，所述反應(yīng)容器⑹的孔口上設(shè)有紙墊片⑻。
5.如權(quán)利要求1或2所述的納米材料的自蔓延高溫合成裝置，其特征在于：所述產(chǎn)物收集板⑿為兩塊以上平行放置的平板或波紋板。
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