[實用新型]芯片級封裝聲表面波器件有效
| 申請號： | 201220398563.7 | 申請日： | 2012-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN202772854U | 公開（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發明（設計）人： | 李勇;周宗閩;王祥邦;姚艷龍 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | H03H9/145 | 分類號： | H03H9/145 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 張蘇沛 |
| 地址： | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片級 封裝 表面波 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種芯片級封裝聲表面波器件，其特征在于：?
在基板表面制作出聲表面波器件的金屬引出電極，和圍繞器件的金屬接地框；??
采用絕緣薄膜完全覆蓋覆晶結構，使絕緣薄膜密接覆晶結構，并在覆晶結構處使倒置芯片有源區與基板表面間有一定間隔，均形成一空腔；
去除倒置芯片背面部分絕緣薄膜；
沿基板表面金屬接地框內側，將覆晶結構外的絕緣薄膜去除，覆晶結構仍被絕緣薄膜密接封閉；
在已部分覆蓋絕緣薄膜的基板上，淀積全部覆蓋的金屬膜。
2.根據權利要求1所述的芯片級封裝聲表面波器件，其特征在于：所述金屬膜是一種雙層金屬膜。
3.根據權利要求2所述的芯片級封裝聲表面波器件，其特征在于：所述雙層金屬膜的內層金屬膜采用汽相淀積，所用金屬是鋁、鈦、鎳、鉻和鎢有較強附著力的金屬。
4.根據權利要求2所述的芯片級封裝聲表面波器件，其特征在于：所述雙層金屬膜的外層金屬膜采用蒸發、濺射、電鍍或化學鍍金屬膜技術，所用金屬是銅、銀、金、鋁和鎢具有較高導電性能的金屬。
5.根據權利要求1、2、3或者4所述的芯片級封裝聲表面波器件，其特征在于：所述金屬膜外再采用塑料封裝，提高器件可靠性。
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