[實(shí)用新型]一種基于固態(tài)硬盤(pán)的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220387066.7
• 申請(qǐng)日: 2012-08-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202720628U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱洪模
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 朱洪模
• 主分類(lèi)號(hào): G06F3/06
• 分類(lèi)號(hào): G06F3/06;G06F13/40
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種存儲(chǔ)系統(tǒng)，尤其涉及一種基于固態(tài)硬盤(pán)的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)的磁頭機(jī)械硬盤(pán)，基本可以滿足個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)庫(kù)或低端服務(wù)器等領(lǐng)域的要求，但對(duì)于工業(yè)領(lǐng)域和高端存儲(chǔ)領(lǐng)域，傳統(tǒng)的磁頭硬盤(pán)就存在著陣列體積大、功耗高且性價(jià)比低的缺陷，并且磁頭硬盤(pán)對(duì)于應(yīng)用環(huán)境的溫度、濕度和振動(dòng)等都有著較高的要求，可靠性會(huì)隨著環(huán)境條件的下降而下降。固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的問(wèn)世，為解決上述高端存儲(chǔ)問(wèn)題提供了良好的條件，以半導(dǎo)體作為存儲(chǔ)及控制載體的固態(tài)硬盤(pán)成為取代機(jī)械硬盤(pán)的一種趨勢(shì)，固態(tài)硬盤(pán)以半導(dǎo)體作為存儲(chǔ)及控制載體，沒(méi)有機(jī)械裝置，具有抗震、寬溫、無(wú)噪、低耗等特點(diǎn)，但是把固態(tài)硬盤(pán)作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的存儲(chǔ)單元時(shí)，單盤(pán)的容量限制了固態(tài)硬盤(pán)的應(yīng)用，當(dāng)存儲(chǔ)系統(tǒng)集成了多個(gè)固態(tài)硬盤(pán)時(shí)，又存在著安全性問(wèn)題-固態(tài)硬盤(pán)不像傳統(tǒng)的磁頭機(jī)械硬盤(pán)，一旦固態(tài)硬盤(pán)出現(xiàn)故障導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，只能檢測(cè)出存在故障，卻無(wú)法用現(xiàn)有手段恢復(fù)數(shù)據(jù)，導(dǎo)致出現(xiàn)不可挽回的損失。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種基于固態(tài)硬盤(pán)的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)，能夠發(fā)揮固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì)，又能夠確保及時(shí)準(zhǔn)確地對(duì)固態(tài)硬盤(pán)進(jìn)行檢測(cè)并更換，防止發(fā)生不可挽回的損失。

本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種基于固態(tài)硬盤(pán)的高速存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括硬盤(pán)陣列、SATA?RAID控制器和上位機(jī)，所述硬盤(pán)陣列中集成有固態(tài)硬盤(pán)或閃存模塊，其特征在于，所述固態(tài)硬盤(pán)為SATA接口和/或USB接口和/或SAS接口，每個(gè)固態(tài)硬盤(pán)內(nèi)具有FLASH陣列，并分別與SATA?RAID控制器相連，所述SATARAID控制器內(nèi)部設(shè)置有SATA控制芯片。

進(jìn)一步的，所述上位機(jī)內(nèi)的主板上設(shè)置有與固態(tài)硬盤(pán)對(duì)應(yīng)的控制電路。

進(jìn)一步的，所述SATA?RAID控制器型號(hào)為L(zhǎng)SI?MegaRAID?SATA150-4。

在現(xiàn)有技術(shù)中，一旦固態(tài)硬盤(pán)損壞將導(dǎo)致整個(gè)硬盤(pán)不能用，而且無(wú)法用傳統(tǒng)的技術(shù)手段恢復(fù)數(shù)據(jù)，造成不可挽回的損失。而在本實(shí)用新型中，在繼承了機(jī)械硬盤(pán)通用性優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，利用固態(tài)硬盤(pán)獨(dú)有的物理特性和環(huán)境特性使整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)的應(yīng)用范圍擴(kuò)大，采用了SATA?RAID控制技術(shù)不僅擴(kuò)展了存儲(chǔ)容量和速度，同時(shí)能夠較好的保護(hù)存儲(chǔ)卡內(nèi)數(shù)據(jù)的安全。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

通過(guò)下面對(duì)實(shí)施例的描述，將更加有助于公眾理解本實(shí)用新型，但不能也不應(yīng)當(dāng)將申請(qǐng)人所給出的具體的實(shí)施例視為對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案的限制，任何對(duì)部件或技術(shù)特征的定義進(jìn)行改變和/或?qū)φw結(jié)構(gòu)作形式的而非實(shí)質(zhì)的變換都應(yīng)視為本實(shí)用新型的技術(shù)方案所限定的保護(hù)范圍。

固態(tài)硬盤(pán)(SSD，Solid?State?Drive)是一種利用Flash芯片或者DRAM芯片作為數(shù)據(jù)永久存儲(chǔ)的硬盤(pán)，F(xiàn)lash芯片使用一種叫做“浮動(dòng)門(mén)場(chǎng)效應(yīng)晶體管”的晶體管來(lái)保存數(shù)據(jù)。每個(gè)這樣的晶體管叫做一個(gè)“Cell”，即單元。有兩種類(lèi)型的Cell：第一種是Single?Level?Cell(SLC)，每個(gè)Cell可以保存1B的數(shù)據(jù)；第二種為Multi?Level?Cell(MLC)，每個(gè)Cell可以保存2b的數(shù)據(jù)。上位機(jī)內(nèi)的控制電路，就是控制每個(gè)Cell處于0、1的不同狀態(tài)以完成存儲(chǔ)讀寫(xiě)的過(guò)程。當(dāng)Cell中的絕緣體被擊穿一定次數(shù)(SLC?10萬(wàn)次，MLC?1萬(wàn)次)之后，損壞的幾率會(huì)變得很高，有時(shí)候不見(jiàn)得非要到這個(gè)門(mén)限值，可能出廠就有一定量損壞的Cell，使用一段時(shí)間之后也可能時(shí)不時(shí)出現(xiàn)損壞。現(xiàn)有技術(shù)中可以通過(guò)ECC校驗(yàn)發(fā)現(xiàn)損壞的Cell，然而尚無(wú)好的辦法恢復(fù)Cell至原始狀態(tài)，也就是說(shuō)數(shù)據(jù)的損失是無(wú)可挽回的、不可逆的，所以對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)的應(yīng)用狀態(tài)監(jiān)控就顯得非常重要。