[實用新型]高度可調的壓塊有效
| 申請號： | 201220386861.4 | 申請日： | 2012-08-07 |
| 公開（公告）號： | CN202839634U | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 鄭恢康;詹洪堅;徐建榮 | 申請（專利權）人： | 蘇州瑞得恩光能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215101 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高度 可調 | ||
【權利要求書】：
1.一種高度可調的壓塊，包括壓塊主體（1），其特征在于：還包括一個滑塊（2），所述滑塊（2）連接在所述壓塊主體（1）的固定面（11）上，所述滑塊（2）相對于所述固定面（11）的高度可調。
2.根據權利要求1所述的高度可調的壓塊，其特征在于：所述固定面（11）的兩個表面均設有第一齒紋（12），所述滑塊（2）為U型夾持結構，所述滑塊（2）的兩個夾持面的內表面設有與所述第一齒紋（12）相咬合的第二齒紋（21）。
3.根據權利要求2所述的高度可調的壓塊，其特征在于：所述固定面（11）上的第一齒紋（12）向下延伸，所述滑塊（2）上第二齒紋（21）向上延伸。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
