[實(shí)用新型]熔煉設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220386548.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203065598U | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阮毅敏;E·A·庫恩;J·S·于貝爾奧爾;D·J·杜克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美鋁公司 |
| 主分類號(hào): | C25C3/08 | 分類號(hào): | C25C3/08 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 錢亞卓 |
| 地址: | 美國賓夕*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熔煉 設(shè)備 | ||
1.一種熔煉設(shè)備,其用于在霍爾-埃魯特電解槽中由氧化鋁電解生產(chǎn)金屬鋁,所述霍爾-埃魯特電解槽具有陽極、陰極、電解液和熔煉坩堝,所述熔煉坩堝用于容納所述電解液、氧化鋁和液體鋁層,所述熔煉坩堝具有底部和側(cè)部且所述鋁層在所述熔煉坩堝的底部上方具有指定高度,其特征在于,所述熔煉設(shè)備包括:?
壁,所述壁設(shè)置在所述熔煉坩堝中,所述壁在所述熔煉坩堝中限定出子區(qū)域,并且所述壁延伸所述熔煉坩堝的長度和寬度中的至少一個(gè)的至少一部分。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁在所述熔煉坩堝的底部上方具有的高度超過所述熔煉坩堝中所述鋁層的所述指定高度。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁具有延伸到所述電解液中的高度。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,在熔煉期間,所述壁的高度超過所述陽極的下表面,使得所述陽極緊鄰所述壁并置但是不與所述壁接觸。?
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁能夠引導(dǎo)熔融鋁在電磁力的影響下沿著由所述壁限定的所述子區(qū)域內(nèi)的流動(dòng)路徑運(yùn)動(dòng)。?
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁在所述熔煉坩堝內(nèi)限定出至少2個(gè)子區(qū)域。?
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁是連續(xù)的。?
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁具有多個(gè)間隔開的子元件,所述子元件布置為這樣的圖案,所述圖案限定所述壁。?
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述圖案為線。?
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁與所述熔煉坩堝的中線平行地延伸。?
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述熔煉設(shè)備還包括在所述熔煉坩堝中的附加壁,所述附加壁限定出附加子區(qū)域。?
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述附加壁設(shè)置成與第一壁大致垂直。?
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁在熔煉操作期間增大在電解液的另一個(gè)區(qū)域中具有的氧化鋁進(jìn)給部附近的電解液的速度。?
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁至少部分地由TiB2構(gòu)成。?
15.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁用作陰極,金屬鋁通過電解作用沉積在所述陰極上。?
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁延伸到靠近所述陽極的高度,并且支持所述壁和所述陽極之間的水平地取向的電流。?
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁降低所述陽極和陰極之間的電阻,否則在沒有所述壁的情況將存在所述電阻。?
18.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述間隔開的子元件為TiB2板的形式。?
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述板插入到所述熔煉坩堝的底部中的狹槽內(nèi)。?
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁至少部分地由氧化鋁構(gòu)成。?
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁被成比例地設(shè)定成使得所述壁在熔煉期間存留的時(shí)間與所述電解槽的陽極所存留的時(shí)間一樣長。?
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的熔煉設(shè)備,其特征在于,所述壁為氧化鋁塊的形式。?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于美鋁公司,未經(jīng)美鋁公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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