[實用新型]化學氣相沉積設備

有效

• 申請號: 201220385378.4
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN202705462U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 梁秉文
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種化學氣相沉積設備，其包括腔體、冷卻裝置、設置在所述腔體內的頂板和襯底支撐座，所述頂板與所述襯底支撐座相對設置，所述頂板具有與所述襯底支撐座相對的第一表面，所述襯底支撐座具有面向所述頂板的襯底支撐面，待處理襯底設置與所述襯底支撐面，所述冷卻裝置用于冷卻所述頂板，其特征在于：所述冷卻裝置包括至少兩個冷卻單元，每個冷卻單元對應所述頂板的不同區域，所述至少兩個冷卻單元相互獨立地對所述頂板進行冷卻以控制所述第一表面的溫度分布。

2.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述至少兩個冷卻單元包括第一冷卻單元和第二冷卻單元，所述頂板具有中心區域和圍繞所述中心區域的邊緣區域，所述第一冷卻單元對應所述中心區域，所述第二冷卻單元對應所述邊緣區域。

3.如權利要求2所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：第一冷卻單元與所述頂板之間的距離小于所述第二冷卻單元與所述頂板之間的距離。

4.如權利要求2所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述第一冷卻單元對所述頂板的冷卻能力強于所述第二冷卻單元。

5.如權利要求2所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述第一冷卻單元包括主冷卻模塊和中心冷卻模塊，所述主冷卻模塊圍繞所述中心冷卻模塊，所述頂板包括中心部和主體部，所述中心部位于所述中心區域的中心，所述主體部位于所述中心部與所述邊緣區域之間，所述中心冷卻模塊對應所述中心部，所述主冷卻模塊對應所述主體部，所述中心冷卻模塊和所述主冷卻模塊相互獨立地對所述頂板進行冷卻。

6.如權利要求1至5中任一項所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述冷卻裝置使得所述頂板的第一表面溫度均勻或所述冷卻裝置使得位于所述頂板邊緣區域的第一表面溫度高于位于所述頂板中心區域的第一表面溫度。

7.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備包括一噴淋頭結構，所述噴淋頭結構與所述襯底支撐座相對設置，所述頂板為所述噴淋頭結構臨近所述襯底支撐座的一側的氣體分配板，所述冷卻裝置為冷卻腔或冷卻管道，所述冷卻腔或冷卻管道設置于所述氣體分配板背離所述襯底支撐座一側，所述噴淋頭結構進一步包括一設置在所述氣體分配板背離所述襯底支撐座一側的氣體擴散腔，所述冷卻腔或冷卻管道設置在所述氣體擴散腔與所述氣體分配板之間。

8.如權利要求7所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備為近耦合噴淋頭金屬有機化學氣相沉積(CCS-MOCVD)設備。

9.如權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備進一步包括至少兩個溫度探測器和探測孔，所述頂板還包括背離所述襯底支撐座的第二表面，所述探測孔從所述腔體的外側向所述腔體內延伸，并從所述頂板的第二表面一側延伸至所述頂板，但不穿透所述頂板；所述溫度探測器通過所述探測孔分別對應探測所述至少兩個冷卻單元對應的所述頂板不同區域所述頂板的溫度，以獲得不同區域的第一表面溫度，所述化學氣相沉積設備根據每一溫度探測器探測到的溫度值對應控制所述溫度探測器對應的冷卻單元的冷卻。

10.如權利要求9所述的化學氣相沉積設備，其特征在于：所述化學氣相沉積設備進一步包括溫度校正單元，所述獲得所述頂板第一表面的溫度是通過所述溫度校正單元獲取所述溫度探測器探測到的溫度值并對所述溫度值進行校正而獲得。