[實用新型]一種晶體管版圖結構及芯片版圖結構有效
| 申請號： | 201220383542.8 | 申請日： | 2012-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN202758893U | 公開（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發明（設計）人： | 雷軍;謝文剛;任民 | 申請（專利權）人： | 成都國微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體管 版圖 結構 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體管版圖結構，其特征在于，包括柵極區、源極區、漏極區和襯底區，所述柵極區、所述源極區和所述漏極區位于所述襯底區上，其中：
所述柵極區呈環狀，將所述源極區和所述漏極區隔開；
所述漏極區位于所述柵極區的環狀結構形成的內部空間，所述源極區位于所述柵極區的環狀結構形成的外部空間。
2.根據權利要求1所述的晶體管版圖結構，其特征在于，還包括至少一個源極接觸孔、至少一個漏極接觸孔和至少一個襯底接觸孔，所述源極接觸孔位于所述源極區，所述漏極接觸孔位于所述漏極區，所述襯底接觸孔位于所述柵極區的環狀結構形成的外部空間。
3.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，所述源極接觸孔均勻分布。
4.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，所述漏極接觸孔均勻分布。
5.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，所述襯底接觸孔均勻分布。
6.根據權利要求2所述晶體管版圖結構，其特征在于，所述襯底接觸孔與所述源極接觸孔間隔分布，且均勻分布。
7.根據權利要求1所述的晶體管版圖結構，其特征在于，所述柵極區呈八邊形結構。
8.一種芯片版圖結構，其特征在于，包括至少一個如權利要求1所述的晶體管版圖結構。
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