[實用新型]正面副柵線電極結構有效
| 申請號: | 201220375794.6 | 申請日: | 2012-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN202712203U | 公開(公告)日: | 2013-01-30 |
| 發明(設計)人: | 劉偉;陳筑;詹國平;劉曉巍;蔡二輝;徐曉群 | 申請(專利權)人: | 寧波尤利卡太陽能科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 代忠炯 |
| 地址: | 315177 浙江省寧*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 正面 副柵線 電極 結構 | ||
1.一種正面副柵線電極結構,它包括若干條與第二次套印的正面主柵線電極結構的主柵線(20)相交的第一副柵線(11),其特征在于:它還包括設有內嵌段(13b)和外露段(13a)的第三副柵線(13),所述的內嵌段(13b)與主柵線(20)上相應的首段(21)或末段(22)疊交,所述的外露段(13a)與第一副柵線(11)相交;所述的若干條第一副柵線(11)的兩端分別連接有第二副柵線(12),所述的若干條第一副柵線(11)上的首條和末條第一副柵線與所述的第二副柵線(12)首尾依次連接。
2.根據權利要求1所述的正面副柵線電極結構,其特征在于:所述的第一副柵線(11)等間距平行排列,所述的第三副柵線(13)的外露段(13a)與第一副柵線(11)垂直相交。
3.根據權利要求1所述的正面副柵線電極結構,其特征在于:所述的第三副柵線(13)比第一副柵線(11)寬。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





