[實用新型]正面主柵線電極結構有效
| 申請號： | 201220375583.2 | 申請日： | 2012-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN202712201U | 公開（公告）日： | 2013-01-30 |
| 發明（設計）人： | 劉偉;陳筑;詹國平;劉曉巍;蔡二輝;徐曉群 | 申請（專利權）人： | 寧波尤利卡太陽能科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 寧波市鄞州甬致專利代理事務所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315177 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 正面 主柵線 電極 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種正面主柵線電極結構，它包括數量至少為二條的主柵線（20），其特征在于：所述的主柵線（20）分為多段且段與段之間由連接線（22）連接。
2.根據權利要求1所述的正面主柵線電極結構，其特征在于：所述的主柵線（20）上的每一段均為矩形段（21），所述的連接線（22）位于矩形段（21）沿寬度方向的中間位置。
3.根據權利要求2所述的正面主柵線電極結構，其特征在于：所述的連接線（22）比第一次套印的正面副柵線電極結構的第一副柵線（11）寬且比矩形段窄。
4.根據權利要求2所述的正面主柵線電極結構，其特征在于：所述的主柵線（20）的每一個矩形段（21）的尺寸相同且矩形段（21）之間的距離相等。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
