[實用新型]35千伏全連式主導體全澆注離相母線有效
| 申請號: | 201220372137.6 | 申請日: | 2012-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN202840422U | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 陳明光;陳成國 | 申請(專利權)人: | 江蘇巴斯威節能科技有限公司 |
| 主分類號: | H02G5/04 | 分類號: | H02G5/04;H02G5/10 |
| 代理公司: | 江蘇圣典律師事務所 32237 | 代理人: | 龔擁軍 |
| 地址: | 213300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 35 千伏 全連式 主導 澆注 母線 | ||
技術領域
本實用新型涉及電源輸送技術領域,特別涉及一種35千伏全連式主導體全澆注離相母線。
背景技術
傳統的離相母線主導體部份易受環境濕度、灰塵等影響,其每支絕緣能力只達100MΩ,且容易受環境影響逐步逐年降低,因此存在因絕緣劣化而造成接地事故的風險,其必須靠外在補助設備微正壓系統,來確保系統安全運行,而為了確保運行安全,必須有兩套微正壓系統,一方面花費運行成本,另一方面需隨時密確注意保養維正壓系統,如遇到故障將導致降容運行或停機。
傳統的空氣絕緣離相母線中,其內環鋁主導體的絕緣靠絕緣礙子類為主,易受環境影響,尤其在有腐蝕性氣體環境根本無法使用;絕緣礙子無法在高度上無限延伸來取得爬電距離(太長機械應力不足,容易斷裂,太短爬電距離不足,易受環境影響,引起對地閃落故障);需靠兩套微正壓系統長期運行與監控,既不夠安全又耗費設備投資與耗能;防護等級只達IP54,絕緣電阻只達到50-200MΩ,需靠微正壓系統使外部氣體無法進入主導體層,且微正壓充氣后約16小時氣體幾乎完全泄漏完畢,需隨時監控并起動微正壓系統補充氣體,否則只要有一次外部氣體侵入,將造成永久性的絕緣低落問題,因此其需定期保養,人力物力耗費高。
實用新型內容
基于存在的以上問題,本實用新型提供一種35千伏全連式主導體全澆注離相母線,其絕緣等級高,適應環境能力強,性能穩定可靠。
本實用新型的主要解決方案是這樣實現的:
本實用新型提供一種35千伏全連式主導體全澆注離相母線,其中,整段母線包括多支接合組件,每支所述接合組件包括:主導體;位于所述主導體外圍橫截面為正方形的全澆注形成的絕緣材料;沿所述絕緣材料四周外側伸出的圓柱體支撐座;位于所述圓柱體支撐座外側并與其內接且橫截面為圓環形的外圓導體;整段母線中所述主導體與所述外圓導體均保持絕緣;所述圓柱體支撐座的高度為170毫米。
優選地,所述主導體為由導電材料形成的橫截面為圓環形的柱體。
優選地,所述全澆注形成的絕緣材料為無機礦物質。
優選地,所述圓柱體支撐座是由無機礦物材料經全澆注形成。
優選地,每支所述接合組件長6米,每隔2米-3米長設置上下左右四個所述圓柱體支撐座。
優選地,所述圓柱體支撐座穿過所述外圓導體同時作為外圓導體的支撐座。
優選地,所述外圓導體的整段長度中心及兩端處設有冷氣輸入孔,分別作為冷氣輸入與熱氣抽離的通道來強迫冷卻。
優選地,所述外圓導體上具有多個分散分布的散熱孔。
本實用新型的全連式主導體全澆鑄離相母線將主導體完全以無機礦物質澆住密封,其防護(Ingress?Protection,IP)等級可達到IP68(IP67),且每支接合組件絕緣電阻可高達10GΩ以上,使主導體與鋁外殼間完全隔離,自然阻隔完全不會有對地事故的情況,從投產至運行50年后仍保有原新品絕緣能力,衰減極小,又因絕緣材料散熱性佳,因此可降低整體能耗,達到節能效果。本實用新型的全連式主導體全澆鑄離相母線防護等級高,適應環境能力強,性能穩定可靠。
附圖說明
圖1是本發明具體實施例的全連式主導體全澆注離相母線的整體結構示意圖;
圖2是本發明具體實施例的全連式主導體全澆注離相母線的立體結構示意圖;
圖3是本發明具體實施例的全連式主導體全澆注離相母線的形成步驟示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本實用新型的具體實施方式做詳細的說明,使本實用新型的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按比例繪制附圖,重點在于示出本實用新型的主旨。
下面結合圖1至圖3對本實用新型的35千伏全連式主導體全澆注離相母線的具體實施例進行詳細說明。
如圖1和圖2所示,本實用新型實施例的35千伏全連式主導體全澆注離相母線,其中,整段母線包括多支接合組件,每支所述接合組件包括:主導體1;位于主導體1外圍橫截面為正方形的全澆注形成的絕緣材料2;沿絕緣材料2四周外側伸出的圓柱體支撐座3;位于圓柱體支撐座3外側并與其內接且橫截面為圓環形的外圓導體4;整段母線中主導體1與外圓導體3均保持絕緣;圓柱體支撐座3的高度為170毫米。
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