[實用新型]具有高出光效率的LED芯片有效
| 申請號： | 201220369657.1 | 申請日： | 2012-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN202749410U | 公開（公告）日： | 2013-02-20 |
| 發明（設計）人： | 樊邦揚 | 申請（專利權）人： | 鶴山市銀雨照明有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 529728 廣東省江*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 高出光 效率 led 芯片 | ||
1.一種具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，包括自下而上依次設置的N型半導體層、發光層、P型半導體層和透明導電層，所述透明導電層上形成有P電極，所術N型半導體層上形成有N電極，所述P電極、N電極以及透明導電層上設置有鈍化保護層。
2.根據權利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述鈍化保護層為具有周期性微結構的鈍化保護層。
3.根據權利要求1-2任一所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述鈍化保護層為透明絕緣材料。
4.根據權利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層為具有周期性微結構的透明導電層。
5.根據權利要求1或4任一所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層為金屬材料或氧化物材料。
6.根據權利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述N型半導體層下還設置有襯底。
7.根據權利要求6所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述襯底為藍寶石、碳化硅或硅的其中一種。
8.根據權利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層微結構的平面開關大致呈圓形或正六邊形。
9.根據權利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層的厚度為1000A-5000A。
10.根據權利要求1所述的具有高出光效率的LED芯片，其特征在于，所述周期性微結構的鈍化保護層的直徑為1um-5um，厚度為50A-2000A。
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