[實(shí)用新型]導(dǎo)電玻璃

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220369264.0
• 申請(qǐng)日: 2012-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN202727455U
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董清世;邵世強(qiáng);陳曦;李曉東;吳堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信義光伏產(chǎn)業(yè)（安徽）控股有限公司
• 主分類號(hào): B32B17/06
• 分類號(hào): B32B17/06;B32B33/00;H01L31/0224
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于特種玻璃領(lǐng)域，尤其涉及一種導(dǎo)電玻璃。

背景技術(shù)

AZO玻璃，即摻雜鋁的ZnO透明導(dǎo)電導(dǎo)電玻璃，目前主要應(yīng)用于薄膜電池領(lǐng)域。AZO玻璃的AZO膜層是通過磁控濺射方法制得，與傳統(tǒng)的FTO玻璃采用的化學(xué)氣相沉積方法不同，其生產(chǎn)的導(dǎo)電玻璃膜層平坦，不利于后續(xù)制成的薄膜電池對(duì)光的有效吸收，必須對(duì)膜層進(jìn)行后續(xù)的化學(xué)濕法蝕刻形成優(yōu)良的絨面結(jié)構(gòu)，從而形成光陷阱，使后續(xù)制成的薄膜電池對(duì)光進(jìn)行有效地吸收。傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝采用的蝕刻方法在大面積量產(chǎn)中，形成的絨面結(jié)構(gòu)存在各種缺陷，且霧度很難做到超過60%，透過率82%就達(dá)到瓶頸。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種導(dǎo)電玻璃，解決現(xiàn)有技術(shù)中AZO導(dǎo)電玻璃蝕刻后霧度，透過率低的技術(shù)問題。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，

一種導(dǎo)電玻璃，包括依次層疊的玻璃基底層、鈉離子阻擋層及AZO膜層，該AZO膜層的與鈉離子阻擋層接觸表面相對(duì)的表面為絨面。

進(jìn)一步，該AZO膜層的厚度為600～1200納米。

進(jìn)一步，該所述絨面的平均高度為150～200納米。

進(jìn)一步，該絨面由凹坑組成。

進(jìn)一步，該凹坑的平均寬度為1～2微米。

本實(shí)用新型導(dǎo)電玻璃，AZO膜層的上表面為絨面，使導(dǎo)電玻璃的霧度達(dá)到40～80%，提高了射入光的透過率。

附圖說明

圖1本實(shí)用新型實(shí)施例導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是對(duì)比例1或2導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)圖；

圖3是對(duì)比例3導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)圖

圖4為實(shí)施例一、對(duì)比例一、對(duì)比例三所的得到的導(dǎo)電玻璃霧度測(cè)試圖；

圖5為實(shí)施例一、對(duì)比例一、對(duì)比例三所的得到的導(dǎo)電玻璃透過率測(cè)試圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

請(qǐng)參閱圖1，圖1顯示本實(shí)用新型實(shí)施例導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)圖，該導(dǎo)電玻璃包括依次層疊的玻璃基底層11、鈉離子阻擋層12及AZO膜層13，該AZO膜層13的與鈉離子阻擋層接觸表面相對(duì)的表面為絨面。

該玻璃基底層11的材質(zhì)優(yōu)選為超白浮法玻璃板，其厚度為2～4毫米，例如，2.0mm,3.2mm,4.0mm。本實(shí)用新型實(shí)施例玻璃基底層11的材質(zhì)還可以選用本領(lǐng)域內(nèi)常用的其他玻璃材料。

該鈉離子阻擋層12材質(zhì)優(yōu)選為二氧化硅，氮氧化硅，厚度在50~100納米，那鈉離子阻擋層也可以選用本領(lǐng)域中常用的其他物質(zhì)，該鈉離子阻擋12通過磁控濺射方法在該玻璃基底層11上沉積得到。

該AZO膜層13的材質(zhì)為摻鋁氧化鋅膜，該AZO膜層13可以選用本領(lǐng)域中常用的摻鋁氧化鋅膜。該AZO膜層13的厚度為600～1200納米。該AZO膜層可以通過磁控濺射方法在該鈉離子阻擋層12上沉積得到。

該AZO膜層的與鈉離子阻擋層接觸表面相對(duì)的表面為絨面，具體地，該AZO膜層13的與鈉離子阻擋層接觸表面相對(duì)的表面為絨面由數(shù)量不限的、規(guī)則分布或近似規(guī)則分布的凹坑組成，該AZO膜層13上表面的絨面的平均高度為150～200納米，這些凹坑的平均寬度為1～2微米。該AZO膜層13的絨面的凹坑由大凹坑和小凹坑組成，這些小凹坑分布在大凹坑之中。

請(qǐng)參閱圖2，圖2顯示對(duì)比例1或?qū)Ρ壤?的導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)圖，該導(dǎo)電玻璃包括依次層疊的玻璃基底層21、鈉離子阻擋層22及AZO膜層23，該AZO膜層23的上表面231為絨面。

請(qǐng)參閱圖3，圖3對(duì)比例3的導(dǎo)電玻璃結(jié)構(gòu)圖，該導(dǎo)電玻璃包括依次層疊的玻璃基底層31、鈉離子阻擋層32及AZO膜層33，該AZO膜層33的上表面331為絨面。

從圖1、圖2及圖3的對(duì)比中可以看出，整體上，本實(shí)用新型實(shí)施例導(dǎo)電玻璃中，該AZO膜層3的絨面平滑、角度緩和，而且凹坑分布較為均勻，大凹坑中分布有小凹坑，使得導(dǎo)電玻璃的霧度和透過率得到顯著提升，產(chǎn)生光陷阱，使得射入光線更容易發(fā)生漫射，產(chǎn)生二次射入，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電玻璃對(duì)射入光的利用率大大提升。本實(shí)用新型實(shí)施例導(dǎo)電玻璃，AZO膜層的電阻為8Ω-15Ω，霧度為40%-80%。

本實(shí)用新型實(shí)施例上述導(dǎo)電玻璃制備方法，包括如下步驟：

步驟S01，提供前體：

提供導(dǎo)電玻璃前體，該導(dǎo)電玻璃前體包括依次層疊的玻璃基底層、鈉離子阻擋層及AZO膜層；

步驟S02，第一次蝕刻：