[實(shí)用新型]一種紅外攝像機(jī)及其紅外調(diào)光電路

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220368805.8
• 申請(qǐng)日: 2012-07-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202773130U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 時(shí)志杰;蘇國(guó)忠
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安防智能（中國(guó)）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H05B37/02
• 分類(lèi)號(hào): H05B37/02;G03B15/05
• 代理公司: 深圳中一專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種紅外攝像機(jī)的紅外調(diào)光電路，其特征在于，所述調(diào)光電路包括：

續(xù)流二極管D1、電感L1、光敏電阻R1、限流電阻R2、限流電阻R3、限流電阻R4、限流電阻R5、電容C1、紅外燈D2、電流控制IC1和開(kāi)關(guān)管；

所述電流控制IC1的輸入端和所述續(xù)流二極管D1的陰極同時(shí)接直流電源，所述電流控制IC1的的輸出端同時(shí)接所述續(xù)流二極管D1的陽(yáng)極和電感L1的第一端，所述電感L1的第二端接所述紅外燈D2的負(fù)極，所述紅外燈D2的正極接所述電流控制IC1的電流調(diào)節(jié)端，所述電容C1并接在所述紅外燈D2的正負(fù)極之間，所述電流控制IC1的電流調(diào)節(jié)端通過(guò)所述限流電阻R2接所述直流電源，所述電流控制IC1的接地端接地，所述電流控制IC1的控制端接所述開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述限流電阻R5接在所述開(kāi)關(guān)管的低電位端與地之間，所述開(kāi)關(guān)管的高電位端通過(guò)所述限流電阻R3接所述直流電源，所述開(kāi)關(guān)管的控制端通過(guò)所述限流電阻R4接所述直流電源，所述光敏電阻R1接在所述開(kāi)關(guān)管的控制端與地之間。

2.如權(quán)利要求1所述的紅外調(diào)光電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用NPN型三極管Q1，所述NPN型三極管Q1的基極為所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q1的集電極為所述開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q1的發(fā)射極為所述開(kāi)關(guān)管的低電位端。

3.如權(quán)利要求1所述的紅外調(diào)光電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的柵極為所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NMOS管Q2的漏極為所述開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述NMOS管Q2的源極為所述開(kāi)關(guān)管的低電位端。

4.一種紅外攝像機(jī)，其特征在于，所述攝像機(jī)還包括一個(gè)紅外調(diào)光電路，所述調(diào)光電路包括：

續(xù)流二極管D1、電感L1、光敏電阻R1、限流電阻R2、限流電阻R3、限流電阻R4、限流電阻R5、電容C1、紅外燈D2、電流控制IC1和開(kāi)關(guān)管；

所述電流控制IC1的輸入端和所述續(xù)流二極管D1的陰極同時(shí)接直流電源，所述電流控制IC1的的輸出端同時(shí)接所述續(xù)流二極管D1的陽(yáng)極和電感L1的第一端，所述電感L1的第二端接所述紅外燈D2的負(fù)極，所述紅外燈D2的正極接所述電流控制IC1的電流調(diào)節(jié)端，所述電容C1并接在所述紅外燈D2的正負(fù)極之間，所述電流控制IC1的電流調(diào)節(jié)端通過(guò)所述限流電阻R2接所述直流電源，所述電流控制IC1的接地端接地，所述電流控制IC1的控制端接所述開(kāi)關(guān)管的低電位端，所述限流電阻R5接在所述開(kāi)關(guān)管的低電位端與地之間，所述開(kāi)關(guān)管的高電位端通過(guò)所述限流電阻R3接所述直流電源，所述開(kāi)關(guān)管的控制端通過(guò)所述限流電阻R4接所述直流電源，所述光敏電阻R1接在所述開(kāi)關(guān)管的控制端與地之間。

5.如權(quán)利要求4所述的紅外攝像機(jī)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用NPN型三極管Q1，所述NPN型三極管Q1的基極為所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q1的集電極為所述開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q1的發(fā)射極為所述開(kāi)關(guān)管的低電位端。

6.如權(quán)利要求4所述的紅外攝像機(jī)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)管采用NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的柵極為所述開(kāi)關(guān)管的控制端，所述NMOS管Q2的漏極為所述開(kāi)關(guān)管的高電位端，所述NMOS管Q2的源極為所述開(kāi)關(guān)管的低電位端。