[實(shí)用新型]大功率整晶圓IGBT封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220368027.2
• 申請(qǐng)日: 2012-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202749363U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳國(guó)賢;徐宏偉;陳蓓璐
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江陰市賽英電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/31;H01L29/423
• 代理公司: 江陰市同盛專(zhuān)利事務(wù)所 32210
• 代理人: 唐紉蘭;曾丹

1.一種大功率整晶圓IGBT封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它包括陶瓷底座（1）、過(guò)渡電極（2）和上蓋（3），所述陶瓷底座（1）包括自上而下疊合同心焊接的陽(yáng)極法蘭（1-1）、瓷環(huán)（1-2）和陽(yáng)極密封圈（1-3），在所述陽(yáng)極密封圈（1-3）內(nèi)同心焊接有陽(yáng)極電極（1-4），在所述瓷環(huán)（1-2）的殼壁上穿接有門(mén)極引線管（1-5），在所述門(mén)極引線管（1-5）的內(nèi)、外端分別焊接有門(mén)極內(nèi)插片（1-7）和門(mén)極外插片（1-6），所述上蓋（3）包含有陰極電極（3-1）和陰極法蘭（3-2），所述陰極法蘭（3-2）同心焊接在陰極電極（3-1）的外緣上；所述過(guò)渡電極（2）置于陽(yáng)極電極（1-4）上，在所述過(guò)渡電極（2）上設(shè)置有門(mén)極針定位孔（2-1）、門(mén)極板定位槽（2-2）和芯片定位孔（2-3），在所述過(guò)渡電極（2）的上方自上而下依次壓接有上鉬片（4）、整晶圓芯片（5）和下鉬片（6），在所述上鉬片（4）、整晶圓芯片（5）和下鉬片（6）上均設(shè)置有與過(guò)渡電極（2）上相應(yīng)的芯片定位孔（2-3），在所述下鉬片（6）上還設(shè)置有門(mén)極針預(yù)留孔（6-1），在所述各部件的芯片定位孔（2-3）內(nèi)插置有定位插銷(xiāo)，在過(guò)渡電極（2）的門(mén)極針定位孔（2-1）內(nèi)設(shè)置有彈性門(mén)極針單元（2-4），所述彈性門(mén)極針單元（2-4）包括塑料模架（2-4-1）和多個(gè)彈性門(mén)極針（2-4-2），在所述塑料模架（2-4-1）上開(kāi)有與彈性門(mén)極針（2-4-2）數(shù)量相同的彈性門(mén)極針定位孔（2-4-3），所述彈性門(mén)極針（2-4-2）插置于彈性門(mén)極針定位孔（2-4-3）內(nèi)，所述彈性門(mén)極針（2-4-2）的上端穿過(guò)門(mén)極針預(yù)留孔（6-1）與整晶圓芯片（5）上的門(mén)極彈性壓接，在所述過(guò)渡電極（2）的門(mén)極板定位槽（2-2）內(nèi)設(shè)置有門(mén)極引出板（2-5），所述門(mén)極引出板（2-5）的下端面與陽(yáng)極電極（1-4）的上表面接觸，上端面與彈性門(mén)極針（2-4-2）的下端彈性壓接，并與門(mén)極內(nèi)插片（1-7）相焊接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大功率整晶圓IGBT封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述門(mén)極引出板（2-5）是三層結(jié)構(gòu)，上端面為鍍金層、中間為覆銅層、下面為絕緣層，絕緣層與陽(yáng)極電極（1-4）的上表面接觸，鍍金層與彈性門(mén)極針（2-4-2）的下端彈性壓接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大功率整晶圓IGBT封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于在所述上鉬片（4）、整晶圓芯片（5）、下鉬片（6）、過(guò)渡電極（2）、陰極電極（3-1）和陽(yáng)極電極（1-4）的外緣設(shè)置有聚氟乙烯環(huán)（7）。