[實用新型]觸摸屏用復合薄膜有效
| 申請號: | 201220360417.5 | 申請日: | 2012-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN202716508U | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 柳錫運;鐘欣;夏國濤;李章國;江成軍;余俊佼;杜圣峰 | 申請(專利權)人: | 深圳南玻顯示器件科技有限公司 |
| 主分類號: | B32B27/06 | 分類號: | B32B27/06;B32B9/04 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 518000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 觸摸屏 復合 薄膜 | ||
技術領域
本實用新型涉及觸摸屏領域,特別是涉及一種觸摸屏用復合薄膜觸摸屏用復合薄膜。
背景技術
氧化銦錫(Indium?Tin?Oxide,簡稱ITO)透明導電膜是一種n型簡并半導體,由于其具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和化學穩定性等優點,越來越受到關注,已經在很多領域得到了應用。目前,觸摸屏用復合薄膜主要用于兩方面,一方面用于柔性顯示設備,如柔性觸屏、有機電致發光顯示器等。另一方面,作為太陽能電池板、太陽能控制膜(車膜、建筑玻璃膜等)的基材。
傳統的電阻式觸摸屏用復合薄膜的結構一般為HC(hard?coating,硬涂層)/PET(Polyethylene?terephthalate,聚對苯二甲酸乙二醇酯)/HC/SiO2/ITO,其中,HC/PET/HC為復合基材。然而,傳統的SiO2和ITO薄膜在復合基材上的附著力較差,因此在該復合薄膜的制造過程中需要對復合基材進行充分脫氣處理。此外,傳統的電阻式觸摸屏用復合薄膜生產工藝對復合基材脫氣要求非常嚴格,復合基材需要在預處理設備中以0.9m/min的走速走三遍,因而一卷500m的基材的預處理時間就需要28小時,轉入到主設備后在鍍膜前還需要再脫氣一遍,生產效率非常低下。
實用新型內容
基于此,有必要提供一種SiO2和ITO薄膜在PET基材上附著力較好的觸摸屏用復合薄膜。
一種觸摸屏用復合薄膜,包括依次層疊設置的硬涂層、PET基材、SiOx層、SiO2層及ITO層,其中,x的范圍是1.0~1.9。
在其中一個實施例中,所述SiOx層的厚度為4~6nm。
在其中一個實施例中,所述SiO2層的厚度為10~30nm。
在其中一個實施例中,所述ITO層的厚度為10~20nm。
在其中一個實施例中,所述硬涂層的厚度為2~3μm,所述PET基材的厚度為100μm、125μm或188μm。
在其中一個實施例中,還包括設在所述PET基材與所述SiOx層之間的厚度為2~3μm的硬涂層。
通過改變傳統的觸摸屏用復合薄膜的結構,在復合基材與SiO2層之間增加SiOx層過渡層,由于SiOx層中存在一定的Si-懸鍵,該Si-懸鍵能與復合基材表面(HC層表面)的C-H或C-OH鍵形成C-Si或C-O-Si共價鍵,從而增強SiO2層和ITO層在復合基材上的附著力,且對復合基材脫氣的要求大大降低,脫氣處理的時間變短,而且在主設備鍍膜前復合基材不再需要進行脫氣處理,大大提高了觸摸屏用復合薄膜的生產效率。同時因為SiOx層和SiO2層能起到對基材的覆蓋作用,阻擋了復合基材中水分對ITO鍍膜的影響,保證ITO電阻的穩定性。
附圖說明
圖1為一實施方式的觸摸屏用復合薄膜的結構示意圖;
圖2為圖1中復合基材的結構示意圖;
圖3為一實施方式的觸摸屏用復合薄膜的制造方法的流程圖。
具體實施方式
下面結合附圖對觸摸屏用復合薄膜及其制造方法進行進一步說明。
如圖1所示,一實施方式的觸摸屏用復合薄膜100包括依次層疊設置的復合基材110、SiOx層120、SiO2層130及ITO層140。其中,x的范圍是1.0~1.9。
如圖2所示,在本實施方式中,復合基材110包括兩層硬涂層112及位于兩層硬涂層(HC)112之間的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材114。其中,硬涂層112的厚度為2~3μm。PET基材114的厚度為100μm、125μm或188μm。SiOx層的厚度為4~6nm。SiO2層的厚度為10~30nm。ITO層的厚度為10~20nm。硬涂層112用于保護PET基材114,可以提供PET基材114表面2H~3H的硬度。此外,在其他實施方式中,復合基材110還可以只包括一層硬涂層112,相應地,SiOx層120設在該單層硬涂層112上,其他膜層結構同本實施方式。
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