[實用新型]IGBT模塊短接橋

有效

• 申請號: 201220357566.6
• 申請日: 2012-07-23
• 公開（公告）號: CN202797558U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 張紅衛;王豹子
• 申請（專利權）人: 西安永電電氣有限責任公司
• 主分類號: H01R31/08
• 分類號: H01R31/08;H01R4/48;H01R13/03
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本實用新型屬于電子制造領域，特別涉及一種應用于IGBT模塊的短接橋。

背景技術

IGBT（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）具有高頻率、高電壓、大電流、尤其是容易開通和關斷的性能特點，是國際上公認的電力電子技術第三次革命的最具代表性的產品，至今已經發展到第六代，商業化已發展到第五代。目前，IGBT已廣泛應用于國民經濟的各行業中。

IGBT模塊主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即DC/AC變換中，采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率，提高用電質量。近年來，世界范圍內IGBT器件發展迅速，特別是中國發展速度最快，成為IGBT最大消費國。當今以IGBT模塊為代表的新型電力電子器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，它的性能參數直接決定著電力電子系統的效率和可靠性。未來隨著國家節能減排、加強自主創新能力等政策的引導和支持，IGBT市場需求還將進一步增長。

根據IGBT模塊結構不同，GE（柵極和發射極）短接采取的方法不同，主要有三種方法：

（1）短接片連接，設計專門的金屬短接片，通過螺絲擰緊實現GE短接，僅適用于折彎型電極模塊。

（2）金屬箔帶或金屬絲連接，通常選擇銅箔帶，將電極的GE極緊貼連接，僅適用于折彎型電極模塊。

（3）導電泡沫連接，選擇導電泡沫連接GE電極，僅適用于直插式端子電極模塊。

（4）短接環連接，設計專門的短接金屬環，將短接金屬環插在直插式控制端子上，僅適用于直插式端子電極模塊。

上述GE短接的缺點在于：IGBT模塊封裝制造過程中，因封裝工藝需要，需多次拆卸和安裝GE連接，且要求GE連接可靠，對于折彎型電極模塊，短接片連接，連接可靠，但安裝拆卸不便，且不適用于直插式端子電極模塊；金屬箔帶或金屬絲連接，容易GE短接不牢靠，且多次拆卸、安裝不便，且材料消耗大；對于直插式端子電極模塊，導電泡沫和金屬短接環連接，雖操作方便，但多次拆卸、安裝，容易出現虛連接，且不適用于折彎型電極模塊。

實用新型內容

針對現有技術的不足，本實用新型解決的技術問題是提供一種連接牢固，安裝、拆卸方便，可重復使用的IGBT模塊GE短接橋。

為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是這樣實現的：

本實用新型公開了一種IGBT模塊短接橋，所述短接橋連接于所述IGBT模塊的柵極和發射極之間，其中，所述短接橋由一彈片沖壓而成，包括一彈壓部，該彈壓部的兩端分別延伸形成一與所述IGBT模塊的柵極相接觸的第一延伸部，及一與所述IGBT模塊的發射極相接觸的第二延伸部。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述彈壓部包括相對設置的第一彈性臂、第二彈性臂以及連接在所述第一彈性臂和第二彈性臂之間的連接部，所述第一彈性臂和第二彈性臂分別自所述第一延伸部和第二延伸部的末端折彎形成。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述第一彈性臂垂直于所述第一延伸部，所述第二彈性臂垂直于所述第二延伸部。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述連接部折彎形成有至少一個圓弧面。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述連接部為平板狀。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述第一延伸部和第二延伸部包括折彎形成的臺階部，所述臺階部的末端延伸有接觸部，所述接觸部的寬度小于所述第一延伸部或第二延伸部的寬度。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述短接橋的長度為：L~2L，其中，L為所述IGBT模塊柵極和發射極的中心距。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述連接部的長度為：0.5L~L,其中，L為所述IGBT模塊柵極和發射極的中心距。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述短接橋的高度為10~50mm。

優選的，在上述IGBT模塊短接橋中，所述短接橋是由鉑青銅帶制成的。