[實(shí)用新型]一種中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220356864.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202735261U | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李金堂;楊軍;楊娟;廖文華;高振軍;孟益標(biāo);王玲紅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江萬(wàn)馬電纜股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/88 | 分類號(hào): | G01N21/88 |
| 代理公司: | 杭州杭誠(chéng)專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 311305 浙江省*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高壓 電纜 導(dǎo)電 屏蔽 破損 檢測(cè) 裝置 | ||
1.?一種中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:包括檢測(cè)支座(1),所述檢測(cè)支座(1)開設(shè)有一個(gè)檢測(cè)通道,所述檢測(cè)通道周圍設(shè)置有多個(gè)光電傳感器(2),所述光電傳感器配置有信號(hào)指示和電氣控制裝置(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:所述多個(gè)光電傳感器在檢測(cè)通道軸線方向上間隔排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:所述間隔距離為20mm~40mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:所述排列方式為螺旋形排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:還包括電纜導(dǎo)向座(4),所述電纜導(dǎo)向座設(shè)置在檢測(cè)通道的通道口。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:所述電纜導(dǎo)向座由上、下、左、右四塊可分別調(diào)節(jié)的導(dǎo)向板(7)組成,所述導(dǎo)向板上設(shè)置有導(dǎo)輪(5)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:所述信號(hào)指示和電氣控制裝置上設(shè)置有與所述光電傳感器一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)信號(hào)指示燈(9)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7任一所述的中高壓電纜半導(dǎo)電屏蔽層破損檢測(cè)裝置,其特征在于:所述光電傳感器為八個(gè)。
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G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
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