[實用新型]發(fā)射機前端模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220353792.7 | 申請日： | 2012-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN202856719U | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州廣帝科微電子有限公司 |
| 主分類號： | H04B1/04 | 分類號： | H04B1/04 |
| 代理公司： | 深圳市博銳專利事務(wù)所 44275 | 代理人： | 張明 |
| 地址： | 215021 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)射機 前端 模塊 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種發(fā)射機前端模塊，其特征在于：它包括相連的帶控制器的射頻功放芯片及集成電容器的天線開關(guān)芯片；所述集成電容器的天線開關(guān)芯片包括集成在一顆砷化鎵或氮化鎵或硅SOI芯片上的用于阻抗匹配的集成電容器與天線開關(guān)模塊。?
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射機前端模塊，其特征在于：所述集成電容器的天線開關(guān)芯片的集成電容器包括有頻段阻抗匹配電容與隔直電容。?
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)射機前端模塊，其特征在于：所述頻段阻抗匹配電容包括主電容與微調(diào)電容。?
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)射機前端模塊，其特征在于：所述微調(diào)電容包括3個，3個微調(diào)電容的容值比為1：2：4。?
5.如權(quán)利要求1-4任意一項所述的發(fā)射機前端模塊，其特征在于：所述砷化鎵或氮化鎵或硅SOI芯片設(shè)置于基板上，基板的金屬銅皮布線或QFN封裝中的金屬引線架形成所述集成電容器。?
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