[實(shí)用新型]發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220353364.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203055975U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 粟飯?jiān)缎?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L33/24 | 分類號(hào): | H01L33/24;H01L33/10;H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 段承恩;楊光軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管。?
背景技術(shù)
已知從元件上表面的一部分取出在發(fā)光層中發(fā)生的光的點(diǎn)光源型的發(fā)光二極管。在該型的發(fā)光二極管中,已知具有用于將發(fā)光層的通電區(qū)域限制為其面內(nèi)的一部分的電流狹窄結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管(例如專利文獻(xiàn)1)。在具有電流狹窄結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管中,發(fā)光區(qū)域被限定,從設(shè)置于該區(qū)域的正上方的光射出孔射出光,因此可在得到高的光輸出功率的同時(shí),將射出的光效率良好地取入光學(xué)部件等。?
點(diǎn)光源型的發(fā)光二極管之中,特別是共振器型發(fā)光二極管(RCLED:Resonant-Cavity?Light?Emitting?Diode),是高效率的發(fā)光元件,其構(gòu)成為:在包含2個(gè)反射鏡(mirror)的共振器內(nèi)發(fā)生的駐波的波腹位于配置于共振器內(nèi)的發(fā)光層,并且將光射出側(cè)的反射鏡的反射率設(shè)定為比基板側(cè)的反射鏡的反射率低,由此不使其激光起振而以LED模式工作(專利文獻(xiàn)2,3)。共振器型發(fā)光二極管,與通常的發(fā)光二極管相比,由于共振器結(jié)構(gòu)的效果,使得發(fā)光光譜線寬度窄,射出光的指向性高,自然放出的載流子(carrier)壽命短,因此能夠高速應(yīng)答,具有上述等等的特征,因此適合于傳感器等。?
在共振器型發(fā)光二極管中,已知下述結(jié)構(gòu):為了在與基板平行的方向上使發(fā)光區(qū)域較窄,將上部反射鏡層和活性層等設(shè)為柱狀結(jié)構(gòu),在該柱狀結(jié)構(gòu)的頂面的光取出面具備具有光射出用開(kāi)口的層(例如專利文獻(xiàn)4)。?
圖12表示一種共振器型發(fā)光二極管,其是在基板131上依次具備下部反射鏡層132、活性層133、上部反射鏡層134和接觸層135的共振器型發(fā)?光二極管,其中,將活性層133、上部反射鏡層134和接觸層135設(shè)為柱狀結(jié)構(gòu)137,將柱狀結(jié)構(gòu)137及其周圍用保護(hù)膜138被覆,在該保護(hù)膜138上形成電極膜139,在柱狀結(jié)構(gòu)137的頂面137a(光取出面)中,在電極膜139上形成光射出用的開(kāi)口139a。標(biāo)記140是背面電極。?
圖12所示的柱狀結(jié)構(gòu)的電流狹窄結(jié)構(gòu),在非共振器型的點(diǎn)光源型發(fā)光二極管中也可應(yīng)用。?
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)?
專利文獻(xiàn)1特開(kāi)2005-31842號(hào)公報(bào)?
專利文獻(xiàn)2特開(kāi)2002-76433號(hào)公報(bào)?
專利文獻(xiàn)3特開(kāi)2007-299949號(hào)公報(bào)?
專利文獻(xiàn)4特開(kāi)平9-283862號(hào)公報(bào)?
實(shí)用新型內(nèi)容
形成上述柱狀結(jié)構(gòu)時(shí),通過(guò)各向異性的干式蝕刻來(lái)實(shí)施形成活性層等之后的、柱狀結(jié)構(gòu)以外的部分的除去,如圖12所示,柱狀結(jié)構(gòu)137的側(cè)面137b,相對(duì)于基板131垂直或者陡峭傾斜地形成。在該柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面,通常采用蒸鍍法、濺射法形成保護(hù)膜后,采用蒸鍍法形成電極用金屬(例如Au)膜,但在該垂直或者陡峭傾斜的側(cè)面,以一樣的厚度形成保護(hù)膜、電極用金屬膜并不容易,存在容易成為不連續(xù)膜的問(wèn)題。在保護(hù)膜成為不連續(xù)膜的場(chǎng)合(圖12中的標(biāo)記A),電極用金屬膜會(huì)進(jìn)入到其不連續(xù)部分,與活性層等接觸,成為泄漏(leak)的原因。另外,在電極用金屬膜成為不連續(xù)膜的場(chǎng)合(圖12中的標(biāo)記B),成為通電不良的原因。?
另外,圖12示出的發(fā)光二極管,支持柱狀結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)的側(cè)面132a露出,因此存在側(cè)面與大氣、大氣中的水分接觸而劣化的問(wèn)題。特別是下部反射鏡層132為Al組成高的半導(dǎo)體層的場(chǎng)合,側(cè)面氧化、特性降低。?
另外,若通過(guò)干式蝕刻進(jìn)行柱狀結(jié)構(gòu)以外的部分的除去,則還存在需要高價(jià)格的裝置、蝕刻時(shí)間也需較長(zhǎng)的問(wèn)題。?
此外,圖12所示的在柱狀結(jié)構(gòu)的頂面具有光射出孔的點(diǎn)光源型發(fā)光二?極管,由于在柱狀結(jié)構(gòu)內(nèi)的整個(gè)發(fā)光層中流通電流,因此在發(fā)光層之中光射出孔的正下方以外的部分發(fā)出的光的量多,在光射出孔的正下方以外的部分發(fā)出的光,與在光射出孔的正下方發(fā)出的光相比,射出到發(fā)光二極管外部的幾率低,因此光取出效率的提高受到阻礙。?
本實(shí)用新型是鑒于上述情況而完成的,其目的是提供一種以均勻的膜厚形成有保護(hù)膜和在其上形成的電極膜,并且,光取出效率高,泄漏和通電不良減少,成品率提高,能夠以比以往低的成本制造的發(fā)光二極管。?
本實(shí)用新型的目的是進(jìn)而提供保證穩(wěn)定、高輝度的發(fā)光,并且防止側(cè)面劣化,可謀求高可靠性和長(zhǎng)壽命化的發(fā)光二極管。?
本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案。?
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