[實用新型]一種基于高K材料的LDMOS器件

有效

• 申請號: 201220352534.7
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN202772140U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 曾大杰;余庭;趙一兵;張耀輝
• 申請（專利權）人: 昆山華太電子技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/51
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種基于高K材料的LDMOS器件，其包括襯底，所述襯底上設置有源極和漏極，所述漏極連接有漂移區所述源極和漂移區之間通過溝道連接在一起，所述溝道上設置有柵極，所述柵極和所述溝道之間設置有絕緣層，其特征在于：所述絕緣層包括一個由高K材料組成的高K層。

2.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：構成所述高K層的材料為：Si₃N₄、HfO₂或ZrO₂。

3.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述襯底為SOI襯底。

4.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述柵極是由金屬柵或多晶硅構成的。

5.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：其還包括連接所述源極和所述襯底的連接層，所述連接層由P型重摻雜或金屬構成。

6.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述絕緣層靠近所述漏極一側的厚度大于其靠近所述源極一側的厚度。

7.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：其采用厚度大于所述漂移區的N阱層取代所述漂移區，所述N阱層中靠近所述源極的一側設置有淺溝道隔離。

8.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：其采用厚度大于所述漂移區的N阱層取代所述漂移區，所述N阱層上方設置有一層由LOCOS工藝形成的第二SiO2層，所述第二SiO2層一端設置在所述絕緣層與所述N阱層之間。

9.根據權利要求1所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述漂移區上設置有場板，所述場板與所述漂移區之間設置有第二絕緣層。

10.根據權利要求9所述的一種基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述第二絕緣層依次包括以下三層：SiO₂層、高K層和SiO₂層。