[實用新型]一種自調壓LED智能模塊

有效

• 申請號: 201220347172.2
• 申請日: 2012-07-18
• 公開（公告）號: CN202696983U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 張從峰
• 申請（專利權）人: 張從峰
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 許方

1.一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：包括至少一個功率單元和一個脈寬調制單元，所述各功率單元依次首尾串聯后，其輸入端連接輸入電壓正端，輸出端連接脈寬調制單元的一端，而脈寬調制單元的另一端連接輸入電壓負端；其中，各功率單元均包括LED模組、儲能單元和續流單元，所述LED模組的陽極連接續流單元的負端，并共同作為功率單元的首端，LED模組的陰極連接儲能電感的一端，而儲能單元的另一端連接續流單元的正端，并共同作為功率單元的尾端。

2.如權利要求1所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述LED模組的兩端還并聯有電容。

3.如權利要求1所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述續流單元是二極管、MOSFET或開關狀態受控的單向導通電路。

4.如權利要求1所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述脈寬調制單元包括開關單元、電流采樣單元和控制單元，所述開關單元的一端連接串聯功率單元的輸出端，另一端經由電流采樣單元連接輸入電壓負端，所述控制單元采樣流過電流采樣單元的電流，并據此控制開關單元的開關狀態。

5.如權利要求4所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述開關單元采用MOSFET、IGBT、IFET、可控硅晶閘管或三極管。

6.如權利要求4所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述電流采樣單元采用采樣電阻、半導體電流采樣器、電流互感器或霍爾傳感器。

7.如權利要求4所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述智能模塊還包括分壓電路，所述分壓電路包括第一、二電阻，第一電阻的一端連接輸入電壓正端，另一端經由第二電阻連接輸入電壓負端，所述控制單元采樣第一、二電阻的分壓值，并據此調節開關單元的導通占空比。

8.如權利要求4所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述智能模塊還包括由第三、四電阻構成的保護電路，所述第三電阻與第四電阻串聯后，一端連接功率單元的輸出端，另一端連接輸入電壓負端，所述控制單元采樣第三、四電阻的分壓值，并在該分壓值過高時強制輸出占空比，限制開關單元的端電壓。

9.如權利要求4所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述控制單元為外置，并通過一隔離驅動單元對開關單元進行控制。

10.如權利要求9所述的一種自調壓LED智能模塊，其特征在于：所述隔離驅動單元采用隔離變壓器、光電耦合器件、半導體高頻隔離驅動器或非隔離驅動器。