[實用新型]一種用于高密度等離子體發生裝置的整體式放電腔室

有效

• 申請號: 201220345661.4
• 申請日: 2012-07-17
• 公開（公告）號: CN202738245U
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 芶富均
• 申請（專利權）人: 成都達信成科技有限公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H05H1/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于高密度等離子體發生裝置的整體式放電腔室，其特征在于：放電腔室由放電室和絕緣套鑲嵌于固定架上構成；放電腔室的中心區域加工有第二氣體通道孔和等離子發生區，固定架的外圓壁上設有冷卻水進口和冷卻水出口；中心區域加工有第一氣體通道孔和環形水冷槽，環形水冷槽上設有一隔板，固定架的上端面設有一圓柱形立柱，其上分別設有氬氣入口、鈰鎢陰極固定螺孔和密封槽。

2.?根據權利要求1所述的一種用于高密度等離子體發生裝置的整體式放電腔室，其特征在于：所述的放電腔室采用的是耐高溫材料。

3.根據權利要求1所述的一種用于高密度等離子體發生裝置的整體式放電腔室，其特征在于：所述的絕緣套為聚四氟乙烯。

4.根據權利要求1所述的一種用于高密度等離子體發生裝置的整體式放電腔室，其特征在于：所述的固定架為不銹鋼或銅。

5.根據權利要求1所述的一種用于高密度等離子體發生裝置的整體式放電腔室，其特征在于：所述固定架上設置有3個陽極螺栓孔，所述的絕緣套設置于3個陽極螺栓孔中。