[實用新型]一種非線性偽隨機序列發(fā)生器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220344739.0
• 申請日: 2012-07-08
• 公開（公告）號: CN202649995U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設計）人: 呂虹;朱達榮;汪小龍;陳蘊;方俊初;張愛雪;戚鵬;常偉
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽建筑工業(yè)學院;呂虹
• 主分類號: G06F7/58
• 分類號: G06F7/58
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種非線性偽隨機序列發(fā)生器，包括：

移位寄存器單元，其中，移位寄存器單元由n個觸發(fā)器或n個一位存儲單元組成，高位觸發(fā)器或高位存儲單元的輸出依次與相鄰低位觸發(fā)器或相鄰低位存儲單元的輸入連接，最低位觸發(fā)器或最低位存儲單元的輸出是移位寄存器單元的輸出，最高位觸發(fā)器或最高位存儲單元的輸入是移位寄存器單元的輸入；

反饋邏輯單元，包括線性反饋邏輯單元、非線性反饋邏輯單元和合成單元；其中，線性反饋邏輯單元輸入端按照其本原三項式反饋函數(shù)與移位寄存器單元狀態(tài)輸出端對應連接，其輸出端與合成單元的一個輸入端連接；非線性反饋邏輯單元輸入端按照其非線性特征函數(shù)與移位寄存器單元狀態(tài)輸出端對應連接，其輸出端與合成單元的另一個輸入端連接；合成單元包括異或門，其輸入端分別與線性反饋邏輯單元輸出端和非線性反饋邏輯單元輸出端連接，所述的合成單元輸出端與移位寄存器輸入端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性偽隨機序列發(fā)生器，其中，線性反饋邏輯單元是基于本原三項式的最大長度線性移位反饋寄存器MLLFSR反饋邏輯單元，其邏輯電路由其反饋函數(shù)f(x)決定：

f(x)＝x_i□x₀??????(1)

其中，表示模2加；x_i∈GF(2)，為寄存器第i+1位狀態(tài)，i＝1...n-1。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非線性偽隨機序列發(fā)生器，其中，非線性反饋邏輯單元電路由非線性特征函數(shù)y(x)決定，所述的非線性特征函數(shù)y(x)是基于(1)式得到的，其形式如下：

當(1)式中的x_i所在位置滿足時，

y(X)=(xn-1+L+xi+1)‾?(xiLx1)(xn-1Lxn-i)?(xn-i-1L+x1)‾---(2)]]>

當(1)式中的x_i所在位置滿足1時，

y(X)=(xn-1+L+xn-i+1)‾?(xn-iLx1)(xn-1Lxi)?(xi-1L+x1)‾---(3)]]>

其中，+表示邏輯加；n為移位寄存器位數(shù)；x_i∈GF(2)，為寄存器第i+1位狀態(tài)，i＝1...n-1。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非線性偽隨機序列發(fā)生器，其中，合成單元的輸出是反饋邏輯單元的輸出，為：

f′(x)＝f(x)□y(x)?????(4)

其中，表示模2加；

f(x)：本原三項式m序列移位寄存器反饋函數(shù)；

y(x)：基于本原三項式的非線性特征函數(shù)；

f’(x)：非線性m子序列移位寄存器反饋函數(shù)。