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[實用新型]磁片作多環狀設置的大線盤有效

專利信息
申請號: 201220341119.1 申請日: 2012-07-10
公開(公告)號: CN202713674U 公開(公告)日: 2013-01-30
發明(設計)人: 阮道坤;邱成藩 申請(專利權)人: 阮道坤;邱成藩
主分類號: H05B6/36 分類號: H05B6/36
代理公司: 暫無信息 代理人: 暫無信息
地址: 366000 福建省永安市*** 國省代碼: 福建;35
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摘要:
搜索關鍵詞: 磁片 環狀 設置 大線盤
【說明書】:

所屬技術領域

本實用新型涉及家用電磁灶內部的加熱線盤,特別是磁片作多環狀設置的大線盤。

背景技術

通過各種線盤與電子電路配合進行中、高頻加熱的裝置有廣泛用途,目前家用電磁灶就是典型的應用,其線盤一般采用6至8條長度約60mm的磁條,從盤中向外呈放射狀嵌入支架的槽內,盤面上方繞制單層線圈,此結構的線盤工作時只能在鍋底產生一個直徑約70mm、寬度約30mm的環狀加熱圈,直接加熱面積僅幾十平方厘米,電功率都集中在這一小環內,因此鍋底加熱極不均勻,尤其在使用薄底鍋具進行煎炒時,環狀加熱帶內食物極易燒焦,鍋具也易變形或開裂。

線盤也有將線圈繞成3環的,但其磁條的鋪設方式未改進,因此仍然只形成一個環狀加熱圈,僅由于3環的線盤直徑較大,加熱面積有少許增加,但鍋底大面積加熱及均勻性沒有根本改善。

專利號ZL200920270013.5“高頻扁排線多圈間隔式線盤”其加熱面積及均勻性十分優秀,但其線盤進行工業化生產時成本較高,機械化生產較困難,手工繞制成的質量不穩定,需要進一步改進。

發明內容:

本實用新型在于解決上述存在的技術問題,提供一種磁片作多環狀設置的線盤,包括鐵氧體磁片和加熱線圈及線盤支架。

該方案的技術特征是:根據電磁灶不同功率設計的圓形線盤直徑可從170mm至280mm,由數十只磁片設置成3環狀至5環狀,同軸心布置,環與環之間設有間距,盤面上可選用多種型式漆包線繞制各種線圈。該線盤由于磁片的環狀設置與線圈渦流對應,可根據需要設置環數,使密繞的單層線圈也能形成大面積加熱,此類線盤加工易于機械化生產,部分規格現有電磁灶不改變結構可直接換用。

按此目的設計的磁片作多環狀設置的大線盤,其磁片的幾何形狀可為圓形、長方形、正方形、橢圓形、半弧形或多邊形。磁片間隔布置成圓環狀,同軸心設置3至5環,環與環之間磁片有間距,其距離為3mm至30mm,使各環互不影響,從而形成各自的渦流圈。

所述線盤的磁片各環使用數量可相同,也可不相同,當采用3環時內1環為3至8只、內2環為5至10只、外環為6至15只;當采用4環時內1環為3至7只、內2環為4至9只、內3環為5至12只、外環為6至16只;當采用5環時內1環為3至6只、內2環為4至8只、內3環為5至10只、內4環為6至13只、外環為7至18只。2KW左右的電磁灶宜采用3環,2.8KW左右的電磁灶宜采用4環,3.5KW左右的電磁灶宜采用5環。

所述線盤盤體支架上設計安放多環磁片的凹形槽,槽的形狀與采用的磁片形狀對應。磁片嵌入槽內與盤面有1mm至2mm的距離,線圈與磁片未接觸,此結構磁片與線圈之間可省去膠帶隔離,減少工藝及耗材,支架盤上設有通風孔便于線盤散熱。

所述線盤根據電磁灶功率不同,盤體直徑不同、技術規格要求不同時,可選用幾十支0.31mm或至幾百支0.1mm漆包線卷成單束,密繞或疏繞單層線圈,直徑大的線盤可采用密繞幾匝后間隔一定間距再密繞幾匝的單層多環線圈,也可采用多束粘成扁線或直接聚積成扁線、還可采用編織而成的扁線繞制多環線圈。

所述線盤的盤體當磁片設置成3環時,其盤體直徑為170mm至210mm,線圈繞成后電感量為80uH至120uH;當設置成4環時為200mm至250mm,電感量為65uH至100uH;當設置成5環時為230mm至280mm,電感量為50uH至80uH。

所述線盤可制成凹形,適用于凹底圓弧形鍋具,也可制成平面形,適用于平底鍋具,由磁片4環或5環繞成的線盤,由于盤體直徑較大更適于制成凹形線盤,配合圓弧形鍋具使用。

該線盤根據不同的直徑大小、不同的磁片環數,其加熱面積從約220平方厘米至550平方厘米,鍋底加熱均勻,鍋具不易損壞,線盤工藝制作簡單,適用于機械化生產,以此為核心組成的較大功率電磁灶,使用效果有明顯改進。

附圖說明

圖1為圓形磁片3環狀設置單層線圈線盤正視圖

圖2為圖1的剖面示意圖(單束密繞式)

圖3為圖1的剖面示意圖(凹形單束密繞式)

圖4為圖1的剖面示意圖(單束疏繞式)

圖5為圓形磁片3環狀設置、3環線圈間隔繞法線盤正視圖

圖6為圖5的剖面示意圖(單束3環線圈間隔式)

圖7為圖5的剖面示意圖(凹形單束3環線圈間隔式)

圖8為圖5的剖面示意圖(扁線3環線圈間隔式)

圖9為圓形磁片4環狀設置單層線圈線盤正視圖

圖10為圖9的剖面示意圖(凹形單束疏繞式)

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