[實用新型]一種透明導(dǎo)電層和發(fā)光二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220338044.1 | 申請日： | 2012-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN202736965U | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 皮智華;張建寶;劉榕;周武 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 透明 導(dǎo)電 發(fā)光二極管 | ||
1.一種透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層包括：用于覆蓋在P-GaN層上的碳納米管層和覆蓋在所述碳納米管層上的石墨烯層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述碳納米管層為垂直于所述P-GaN層的碳納米管陣列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述石墨烯層為平行于所述P-GaN層的石墨烯單層。
4.一種發(fā)光二極管，包括外延片、透明導(dǎo)電層和電極；所述外延片包括襯底、以及依次覆蓋在所述襯底上的N-GaN層、多量子阱、P-GaN層；所述電極包括N電極和P電極；其特征在于，所述透明導(dǎo)電層包括覆蓋在所述P-GaN層上的碳納米管層和覆蓋在所述碳納米管層上的石墨烯層，所述P電極設(shè)于所述石墨烯層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述碳納米管層為垂直于所述P-GaN層的碳納米管陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述石墨烯層為平行于所述P-GaN層的石墨烯單層。
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