[實用新型]一種具有內置二極管的IGBT結構

有效

• 申請號: 201220337317.0
• 申請日: 2012-07-12
• 公開（公告）號: CN202796961U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 肖秀光;劉鵬飛;吳海平
• 申請（專利權）人: 寧波比亞迪半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有內置二極管的IGBT結構，其特征在于，包括：

半導體襯底；

多個條形元胞區，所述多個條形元胞區形成在所述半導體襯底的第一表面，且沿第一方向平行排列，每個所述條形元胞區包括：形成在所述半導體襯底中的第一阱區和第二阱區，位于所述第一阱區和第二阱區之間的積累區，形成在所述第一阱區中的第一源區，形成在所述第二阱區中的第二源區，和形成在所述半導體襯底上的第一絕緣層、柵極層、第二絕緣層、第一金屬層，其中，所述第一絕緣層覆蓋部分所述第一源區、部分所述第一阱區、所述積累區、部分所述第二阱區、部分所述第二源區，所述柵極層形成在所述第一絕緣層上，所述第二絕緣層覆蓋部分所述第一源區、所述柵極層、部分所述第二源區，所述第一金屬層覆蓋部分所述第一阱區、所述第二絕緣層、部分所述第二阱區，所述第一金屬層的兩個端部分別嵌入所述第一阱區、所述第二阱區、所述第一源區以及所述第二源區中，且所述第一金屬層的兩個端部分別與部分所述第一阱區、部分所述第二阱區、部分所述第一源區以及部分所述第二源區重疊，其中，所述第一金屬層的兩個端部嵌入所述第一阱區、所述第二阱區中的深度大于所述第一源區、所述第二源區分別嵌入所述第一阱區、所述第二阱區中的深度；和

多個第一類型條形摻雜區和多個第二類型條形摻雜區，所述多個第一類型條形摻雜區和多個第二類型條形摻雜區形成在所述半導體襯底的第二表面，且沿第二方向交替平行排列，所述第二方向和第一方向相互垂直，所述多個第一類型條形摻雜區和多個第二類型條形摻雜區上形成有第二金屬層。

2.如權利要求1所述的具有內置二極管的IGBT結構，其特征在于，所述半導體襯底為半導體晶圓，所述第一方向平行或垂直于所述半導體晶圓的主平邊。

3.如權利要求1所述的具有內置二極管的IGBT結構，其特征在于，相鄰的第一類型條形摻雜區和第二類型條形摻雜區之間的間距D滿足：D≥0。

4.如權利要求1所述的具有內置二極管的IGBT結構，其特征在于，所述半導體襯底為第二類型輕摻雜，所述第一阱區和第二阱區為第一類型摻雜，所述第一源區和第二源區為第二類型摻雜。