[實用新型]一種光伏探測器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220333765.3
• 申請日: 2012-07-11
• 公開（公告）號: CN202797042U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王四新;劉先章;宋亞美
• 申請（專利權(quán)）人: 北京瑞普北光電子有限公司
• 主分類號: H01L31/101
• 分類號: H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/0352
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種光伏探測器，尤其是一種量子阱紅外光伏探測器。

背景技術(shù)

現(xiàn)有的光伏探測器包括InSb紅外探測器、HgCdTe紅外探測器和量子阱紅外探測器，都是在低溫下工作，需要通過液氮杜瓦或循環(huán)制冷機(jī)制冷，嚴(yán)重限制了光伏探測器的應(yīng)用范圍。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供了一種能夠在室溫條件下工作的光伏探測器。

實現(xiàn)本實用新型目的的光伏探測器，包括依次設(shè)置的GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaAs下電極層、多量子阱層和GaAs頂部電極層；所述量子阱層包括22周期，每個周期包括一個AlGaAs勢壘層和一個GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。

本實用新型的光伏探測器的有益效果如下：

本實用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設(shè)備，光吸收系數(shù)高，提高了探測率。

附圖說明

圖1為本實用新型的光伏探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型的光伏探測器，包括依次設(shè)置的GaAs襯底5、GaAs緩沖層4、GaAs下電極層3、多量子阱層2和GaAs頂部電極層1；所述量子阱層2包括22周期，每個周期包括一個AlGaAs勢壘層和一個GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。

本實用新型的光伏探測器的優(yōu)點如下：

本實用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設(shè)備，光吸收系數(shù)高，提高了探測率。

上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優(yōu)選實施方式進(jìn)行描述，并非對本實用新型的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本實用新型設(shè)計精神前提下，本領(lǐng)域普通工程技術(shù)人員對本實用新型技術(shù)方案做出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本實用新型的權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。