[實(shí)用新型]快開(kāi)通晶閘管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220324574.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203150555U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 顏家圣;張橋;劉小俐 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/423 | 分類號(hào): | H01L29/423;H01L29/744 |
| 代理公司: | 襄陽(yáng)嘉琛知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 42217 | 代理人: | 嚴(yán)崇姚 |
| 地址: | 441021 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 開(kāi)通 晶閘管 | ||
1.快開(kāi)通晶閘管,包括管殼和封裝在該管殼內(nèi)的半導(dǎo)體芯片,半導(dǎo)體芯片為PNPN四層三端結(jié)構(gòu),芯片上設(shè)有短路點(diǎn)、中心門(mén)極G、放大門(mén)極G、陰極K和陽(yáng)極A,其特征在于:所述的放大門(mén)極G為旋轉(zhuǎn)環(huán)繞中心門(mén)極G、且一端均勻分布并與中心門(mén)極G連接的漸開(kāi)線指條。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的半導(dǎo)體芯片由硅片、鉬片焊結(jié)而成,或由下鉬片、硅片、上鉬片壓接而成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的環(huán)繞中心門(mén)極G的漸開(kāi)線指條為圓弧形漸開(kāi)線指條。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的環(huán)繞中心門(mén)極G的漸開(kāi)線指條為分段漸開(kāi)線指條。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的短路點(diǎn)為呈漸開(kāi)線指條或圓弧形漸開(kāi)線或分段漸開(kāi)線指條排列的陰極圖形,短路點(diǎn)直徑0.06∽0.6mm,最近短路點(diǎn)間距為0.5∽3.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的分段漸開(kāi)線指條為分段變寬漸開(kāi)線指條。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的環(huán)繞中心門(mén)極G的分段漸開(kāi)線指條為半正六邊形漸開(kāi)線指條,短路點(diǎn)為呈正六邊形排列的陰極圖形,短路點(diǎn)直徑0.06∽0.6mm,最近短路點(diǎn)間距為0.5∽3.5mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的半正六邊形漸開(kāi)線指條外側(cè)指段寬度小于中間指段寬度,內(nèi)側(cè)指段寬度大于中間指段寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的漸開(kāi)線指條或圓弧形漸開(kāi)線或分段漸開(kāi)線指條為順時(shí)序或逆時(shí)序排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的快開(kāi)通晶閘管,其特征在于:所述的漸開(kāi)線指條或圓弧形漸開(kāi)線或分段漸開(kāi)線指條為4∽6條。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





