[實用新型]高頻連接結構

有效

• 申請號: 201220324309.2
• 申請日: 2012-07-06
• 公開（公告）號: CN202652705U
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 黃勇;汪杰
• 申請（專利權）人: 蘇州博海創業微系統有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及電信號處理設備，特別是與高頻電信號的傳輸有關。

背景技術

現有的兩層及兩層以上的電路板中，為了實現層間金屬線路的連通，通常是采用金屬化過孔的形式，也就是在分別排布在間隔至少有兩個介質層上的兩個金屬線路的空間交界處，通過一個金屬化孔實現該兩個金屬線路的連通。現有的這種結構，由于電路板制造過程的緣故或者電路板在使用、運輸等過程遇到碰撞、彎折等情形，可能會出現金屬化孔本身斷裂或者金屬化孔與金屬線路的連接處斷裂的故障，致使兩個金屬線路的連接不可靠。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于提供一種高頻連接結構，可以大大增強金屬線路連接的可靠性。

為了實現上述目的，本實用新型提出一種高頻連接結構，包括：至少兩層疊置的介質層，相互間隔至少兩層疊置的介質層的第一金屬線路和第二金屬線路以及用以使該第一金屬線路與第二金屬線路電連接的第一垂直連接結構，還包括：用以使該第一金屬線路與第二金屬線路電連接的第二垂直連接結構，該第二垂直連接結構鄰近該第一垂直連接結構設置。

還包括設置在兩兩介質層交界處的用以橫向連通該第一垂直連接結構與第二垂直連接結構的至少一中間金屬線路。

該第一垂直連接結構和/或第二垂直連接結構是金屬化孔。

該第一垂直連接結構和/或第二垂直連接結構是金屬漿料填充形成的金屬實體。

該第一垂直連接結構和/或第二垂直連接結構是豎直地穿越該至少兩層疊置的介質層的。

該第一垂直連接結構和/或第二垂直連接結構是曲折地穿越該至少兩層疊置的介質層的。

該第一垂直連接結構與第二垂直連接結構的中心間距小于20微米。

該些介質層均為低溫燒結陶瓷材質。

與現有技術相比，本實用新型的高頻連接結構，通過并列設置兩個垂直連接結構，可以增加金屬線路連接的可靠性；進一步的，通過在介質層交界處設置中間金屬線路來橫向連通這兩個垂直連接結構，可進一步增加金屬線路連接的可靠性，從而可以大大增強金屬線路連接的可靠性。

附圖說明

圖1是本實用新型的高頻連接結構實施例一的結構示意圖。

圖2是本實用新型的高頻連接結構實施例二的結構示意圖。

圖3是本實用新型的高頻連接結構實施例三的結構示意圖。

其中，附圖標記說明如下：1第一介質層；2第二介質層；3第一金屬線路；4第二金屬線路；5第一垂直連接結構；6第二垂直連接結構；7中間介質層；8中間金屬線路。

具體實施方式

為了詳細說明本實用新型的構造及特點所在，茲舉以下較佳實施例并配合附圖說明如下。

參見圖1，本實用新型的高頻連接結構實施例一大致包括：第一介質層1；位于該第一介質層1表面的第一金屬線路3；第二介質層2；位于該第二介質層2表面的第二金屬線路4；以及用以使該第一金屬線路3和第二金屬線路4實現電連接的兩個相鄰排布的第一垂直連接結構5和第二垂直連接結構6。需要說明的是，優選地，這里所說的相鄰排布是指第一垂直連接結構5和第二垂直連接結構6的間距盡量地小，但要滿足工藝要求的最小間距要求，舉例來說，如果孔的最小口徑為10微米，若兩個孔的最小中心間距為30微米，則兩個孔的邊緣最小間距為20微米，若兩個孔的最小中心間距為20微米，則兩個孔的邊緣最小間距為10微米。

在該第一介質層1與第二介質層2交界處，還可設置有橫向連通該第一垂直連接結構5與第二垂直連接結構6的一個中間金屬線路8。

參見圖2，本實用新型的連接結構實施例二與上述實施例一的區別主要體現在：上述實施例一為雙層疊置的介質層結構，實施例二為三層疊置的介質層結構，其包括一個中間介質層7；在各個介質層的交界處均設置有橫向連通該第一垂直連接結構5與第二垂直連接結構6的中間金屬線路8，從而有兩個中間金屬線路8橫向連通該第一垂直連接結構5與第二垂直連接結構6。

參見圖3，本實用新型的連接結構實施例三與上述實施例二的區別主要體現在：上述實施例二為三層疊置的介質層結構，實施例三為四層疊置的介質層結構，其包括兩個中間介質層7；在各個介質層的交界處均設置有橫向連通該第一垂直連接結構5與第二垂直連接結構6的中間金屬線路8，從而有三個中間金屬線路8橫向連通該第一垂直連接結構5與第二垂直連接結構6。

雖然，在上述分別以兩層疊置的介質層、三層疊置的介質層和四層疊置的介質層為例，在其它的實施例中，根據實際應用的需要，介質層的數目還可以是五層疊置的、六層疊置的以及六層以上疊置的。