[實(shí)用新型]燃?xì)庠畹氖⒁罕P(pán)和燃?xì)庠?/span>有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220323918.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-06-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN202835499U | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄒雪;吳金花 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 博西華電器(江蘇)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | F24C15/14 | 分類號(hào)： | F24C15/14;F24C3/00;F24C3/12 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 210046 江蘇省南京*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 燃?xì)庠?/a> 盛液盤(pán) | ||
1.一種燃?xì)庠畹氖⒁罕P(pán)，其特征在于，包括：
盤(pán)體(11)，具有凹陷于盤(pán)體平面(111)的溝槽(112)；
至少一個(gè)電極組件(13)，所述電極組件(13)位于所述溝槽(112)內(nèi)，所述電極組件(13)包括兩個(gè)相互無(wú)接觸的電極(131)，所述電極(131)與所述盤(pán)體(11)絕緣，所述電極(131)頂端突出于所述溝槽(112)的內(nèi)表面(113)。
2.一種燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢ǎ?/p>
盤(pán)體(11)，具有凹陷于盤(pán)體平面(111)的溝槽(112)；
燃?xì)饪刂蒲b置(12)，用于控制所述燃?xì)庠畹娜細(xì)夤?yīng)；
安全觸發(fā)裝置，用于檢測(cè)到所述溝槽(112)內(nèi)有液體時(shí)觸發(fā)所述燃?xì)饪刂蒲b置(12)關(guān)閉或減少燃?xì)夤?yīng)。
3.一種燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢ǎ?/p>
盤(pán)體(11)，具有凹陷于盤(pán)體平面(111)的溝槽(112)；
燃?xì)饪刂蒲b置(12)，用于控制所述燃?xì)庠畹娜細(xì)夤?yīng)；
安全觸發(fā)裝置，用于檢測(cè)到所述溝槽(112)內(nèi)有液體且所述液體的量超過(guò)液體閾值時(shí)觸發(fā)所述燃?xì)饪刂蒲b置(12)關(guān)閉或減少燃?xì)夤?yīng)，所述液體的量包括液位高度或液體重量。
4.一種燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢ǎ?/p>
盤(pán)體(11)，具有凹陷于盤(pán)體平面(111)的溝槽(112)；
燃?xì)饪刂蒲b置(12)，用于控制所述燃?xì)庠畹娜細(xì)夤?yīng)；
至少一個(gè)電極組件(13)，所述電極組件(13)位于所述溝槽(112)內(nèi)，所述電極組件(13)包括兩個(gè)相互無(wú)接觸的電極(131)，所述電極(131)與所述盤(pán)體(11)絕緣，所述電極(131)的頂端突出于所述溝槽(112)的內(nèi)表面(113)；
處理裝置(14)，為所述電極組件(13)的兩個(gè)電極(131)之間施加電壓差，在所述電極組件(13)的兩個(gè)電極(131)之間產(chǎn)生導(dǎo)通電流時(shí)觸發(fā)所述燃?xì)饪刂蒲b置(12)關(guān)閉或減少燃?xì)夤?yīng)。
5.如權(quán)利要求4所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢鲭姌O組件(13)的數(shù)量為偶數(shù)，所述電極組件(13)兩兩相對(duì)，所述處理裝置(14)在相對(duì)的兩個(gè)電極組件(13)的兩個(gè)電極(131)之間均分別產(chǎn)生導(dǎo)通電流時(shí)觸發(fā)所述燃?xì)饪刂蒲b置(12)關(guān)閉或減少燃?xì)夤?yīng)。
6.一種燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢ǎ?/p>
盤(pán)體(11)，具有凹陷于盤(pán)體平面(111)的溝槽(112)；
燃?xì)饪刂蒲b置(12)，用于控制所述燃?xì)庠畹娜細(xì)夤?yīng)；
至少一個(gè)電極組件(13)，所述電極組件(13)位于所述溝槽(112)內(nèi)，所述電極組件(13)包括兩個(gè)相互無(wú)接觸的電極(131)，所述電極(131)與所述盤(pán)體(11)絕緣，所述電極(131)的頂端突出于所述溝槽(112)的內(nèi)表面(113)；
處理裝置(14)，為所述電極組件(13)的兩個(gè)電極(131)之間施加電壓差，在兩個(gè)電極(131)之間產(chǎn)生導(dǎo)通電流的電極組件的數(shù)量達(dá)到或超過(guò)電極組閾值時(shí)觸發(fā)所述燃?xì)饪刂蒲b置(12)關(guān)閉或減少燃?xì)夤?yīng)。
7.如權(quán)利要求6所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢鲭姌O組件(13)的數(shù)量a大于2，所述電極組閾值為2或a/2或1+a/2或a。
8.如權(quán)利要求4、5或6所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢鲭姌O組件(13)的數(shù)量大于2，所述各電極組件(13)沿所述盤(pán)體(11)周向均勻設(shè)置。
9.如權(quán)利要求4、5或6所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢€包括：絕緣體(1313)，所述絕緣體(1313)位于所述盤(pán)體(11)與所述電極(131)接觸的部分，所述電極(131)頂端突出于所述絕緣體(1313)。
10.如權(quán)利要求4、5或6所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢鲭姌O(131)包括連接在一起的絕緣電極(1312)和導(dǎo)體電極(1311)，所述絕緣電極(1312)與所述盤(pán)體(11)接觸，所述導(dǎo)體電極(1311)突出于所述溝槽(112)的內(nèi)表面(113)。
11.如權(quán)利要求4、5或6所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢鲭姌O組件(13)貫穿所述盤(pán)體(11)。
12.如權(quán)利要求2-7任意一項(xiàng)所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢鋈細(xì)饪刂蒲b置(12)包括所述燃?xì)庠畹陌踩y。
13.如權(quán)利要求2-7任意一項(xiàng)所述的燃?xì)庠睿涮卣髟谟冢鋈細(xì)庠顬殡娮涌刂剖饺細(xì)庠睢?!-- SIPO
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